в основном для создание генератора

Интегральная микросхема К157ХП2 предназначена в основном для создание генератора токов стирания и подмагничивания и стабилизатора напряжения с электронным управлением.

Функциональная схема ИС К157ХП2, совмещенная с типовой схемой включе ния, приведена на рис. 15. Микросхема включает в себя источник образцового напряжения (4) с устройством управления временем включения и выключения, усилигель сигнала рассогласования (3), регулирующий элемент (2) с токовой и тепловой защитой, выходной делитель (1) и отдельные транзисторные структуры с цепями смещения для создания генератора токов стирания и подмагничивания. Необходимое выходное напряжение стабилизатора может быть установлено как внутренним делителем, так и внешним, подключаемым к выводам 11, 6, 7 микро­схемы. Допускается совместное использование делителей. При использовании внутреннего делителя могут быть установлены выходные напряжения, близкие к указанным в табл. 2.

Таблица 2

Напряжение, В	Соединить выводы
12	5, 6
10,5	4, 5, 6
9	4, 6 и 5, 7
5,5	4, 6
3	5, 6 и 4, 11
1,3	6, П

С помощью внешнего делителя можно установить выходное напряжение от 1.3 до 33 В. Для нормальной работы стабилизатора входное напряжение должно превышать выходное не менее чем на 2,5 В. Время включения и выклю­чения выходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденса­тора, подключаемого к выводам 7 и 8 микросхемы.

При температуре окружающей среды от +25 до +70 °С рассеиваемая мощ­ность рассчитывается по формуле



Основные электрические параметры микросхемы К157ХП2

Пределы регулирования выходного напряжения, В.......1,3...33

Выходное напряжение закрытого стабилизатора, В, не более . . 0,1

Ток холостого хода, мА................. 3,2...7,0

Ток холостого хода закрытого стабилизатора, мА....... 0,5...2,0

Входной ток усилителя сигнала рассогласования, мкА, не более . . 0.5

Выходной ток устройства управления временем включения, мА . 1,0 .2.6

Ток, потребляемый устройством управления временем включения, мА 1.0...2.9



Коэффициент нестабильности по напряжению, не более..... ±0.002

Коэффициент нестабильности по току, не более........±0.01

Относительный температурный коэффициент выходного напряжения,

%/°С, не более........... .......0,05

Ток короткого замыкания, мА, не более........... 150. 45О

Параметры транзисторных структур

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 100 мА, Ig — =

= 2,5 мА, В, не более................. 0,75

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 100 мА, IБ — 2,5 мА,

В, не более..................... 1,25

Начальный ток коллектора при R6=10 кОм, мкА, не более . , . 1.0

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Входное напряжение, В................. 4-40

Выходной ток стабилизатора, мА, не более ........ 1э0

Напряжение коллектор-эмиттер транзисторных структур, В, не более 40 Напряжение эмиттер-база транзисторных структур, В, не более . . 7

Постоянный ток коллектора транзисторных структур, мА, не более 150 Рассеиваемая мощность (в диапазоне температур — 25... + 2S °С). Вт 1

Принципиальная схема микросхемы показана на рис. 16.

Источник образцового напряжения выполнен по термокомпенсированнон схеме на транзисторах VT1O, VT12, VT15, VT17 (температурный коэффициент напряжения не превышает 0,01 мВ/°С), обеспечивающей значение образцового напряжения 1,25...1,35 В, т. е. весьма близкое к напряжению энергетической зоны полупроводникового материала (1,206 В для кремния). Питание транзисторов источника обеспечивается генератором тока на транзисторах VT2, VT4, VT7 и токовым отражателем на транзисторах VTSr и VT9.

Усилитель сигнала рассогласования выполнен на транзисторах VT20, V Т27 и VT21, VT26, образующих входной дифференциальный каскад с активной на­грузкой на транзисторах VT23. VT25. Один из коллекторов транзистора VTN служит динамической нагрузкой выходного каскада усилителя сигнала рассогла­сования, а остальные — генераторами тока. Режим транзистора VT14 обеспечи­вается источником тока на транзисторах VTI, VT3, VT6, VT8. Регулирующий транзистор VT24 управляется усилителем рассогласования через эмиттерный повторитель на транзисторе VT22.





Рис. 16. Принципиальная схема стабилизатора напряжения с электронным управ лением и элементами генератора токов стирания и подмагничивания К157ХП2

Для защиты стабилизатора от перегрузок (при превышении тока нагрузки более 200 мА) предназначены транзистор VT19 в диодном включении и резистор R12, падение напряжения на котором при перегрузке открывает диод и закры­вает транзистор. Проводимость последнего уменьшается, а следовательно, умень­шаются и базовые токи транзисторов VT22 и VT24, что ведет к ограничению проходящего через них тока нагрузки.

Защита кристалла от перегрева осуществляется транзистором VT18, на базу которого подана часть образцового напряжения, недостаточная для его откры­вания при нормальной температуре. При повышении температуры кристалла до +165...180°С транзистор VT18 открывается и шунтирует базовую цепь тран­зистора VT22. Транзисторы VT29 и VT30 предназначены для построения генера­тора тока стирания и подмагничивания.


Содержание раздела

---

---