Оперативные статические запоминающие устройства емкостью 4 Кбит
Тип | Информационная емкость (битХ разряд) | Время выборки адреса, но | Время цикла записи, не | рпот- мВт | Тип корпуса и количество выводов |
n-МОП-типа | |||||
TMS4045-15JDL (JL, NL) | 1024x4 | 150 | 150 | 550 | КД-18, ПД-18 |
TMS40L45-20JL(NL) | 1024X4 | 200 | 200 | 330 | ПД-18 |
TMS40L47-20JDL | 1024X4 | 200 | 200 | 330 | ПД-20, КД-18 |
(JL, NL) | |||||
TMS4047-20JDL(JL, NL) | 1024X4 | 200 | 200 | 550 | КД-20, ПД-20 |
TMS40L45-25JDL (JL, NL) | 1024X4 | 250 | 250 | 330 | КД-18, ПД-18 |
TMS40L47-25JDL (JL, NL) | 1024X4 | 250 | 250 | 330 | КД-20, ПД-20 |
TMS4047-25JDL(JL, NL) | 1024x4 | 250 | 250 | 550 | КД-20, ПД-20 |
TMS4045-45JDL(JL, NL) | 1024X4 | 450 | 450 | 550 | КД-18, ПД-18 |
C2142-2 | 1024X4 | 200 | 200 | 475 | КД-18 |
C2142L-2 | 1024X4 | 200 | 200 | 325 | КД-18 |
D2114-2 | 1024x4 | 200 | 200 | 525 | КД-18 |
D2114L-2 | 1024X4 | 200 | 200 | 370 | КД-18 |
P2114-2DC, (2PC) | 1024X4 | 200 | 200 | 500 | КД-18, ПД-18 |
P2114-3 D2114-3 | 1024X4 | 300 | 300 | 525 | ПД-18 |
P2114L-3 D2114L-3 | 1024X4 | 300 | 300 | 385 | ПД-18 |
C2142 | 1024X4 | 450 | 450 | 475 | КД-20 |
AM9130DDC (DPC) | 1024X4 | 250 | 395 | 578 | КД-22, ПД-22 |
AM9131CDM, (CPC, CDC) | 1024x4 | 300 | 470 | 578 | КД-22, ПД-22 |
AM9131BPC, | 1024X4 | 400 | 620 | 578 | КД-22, ПД-22 |
(BDC, BDM) | |||||
D2 147-3 | 4096 X 1 | 55 | 55 | 850 | ПД-18 |
D2147 | 4096 X 1 | 70 | 70 | 750 | ПД-18 |
D2147L | 4096X1 | 70 | 70 | 675 | ПД-18 |
D2141-2 | 4096 X 1 | 120 | 120 | 350 | ПД-18 |
D2141-3 | 4096X1 | 150 | 150 | 350 | ПД-18 |
D2141L-3 | 4096X1 | 150 | 150 | 200 | ПД-18 |
D2141-4 | 4096X1 | 200 | 200 | 275 | ПД-18 |
D2141-5 | 4096X1 | 250 | 250 | 275 | КД-18 |
D2141L-5 | 4096 X 1 | 250 | 250 | 200 | КД-18 |
TMS4044-15JDL(JL, NL) | 4096X1 | 150 | 150 | 440 | ПД-18, КД-18 |
TMS40L44-20JDL (JL, NL) | 4096 X 1 | 200 | 200 | 275 | ПД-18, КД-18 |
TMS4046-20JDL(JL, NL) | 4096 X 1 | 200 | 200 | 440 | ПД-20, КД-20 |
TMS40L44-25JDL(JL NL) | 4096 X 1 | 250 | 250 | 275 | КД-18 ПД-18 |
TMS4046-25JDL(JL, NL) | 4096 X 1 | 250 | 250 | 440 | КД-20, ПД-20 |
Продолжение табл. 3.16
|
|
|
|
|
|
||||||
TMS4044-45JDUJL, NL) |
4096 X 1 |
450 |
450 |
440 |
КД-18, ПД-18 |
||||||
MK4104J-4, J-34, N-4 |
4096 X 1 |
250 |
385 |
150 |
ПД-18 |
||||||
MK4104J-35 } |
|
|
|
|
|
||||||
MK4104N-5 |
4096X1 |
300 |
460 |
150 |
ПД-18 |
||||||
MK4104N-35 j |
|
|
|
|
|
||||||
MK4104J-6, (N-6) |
4096 X 1 |
350 |
535 |
150 |
ПД-18 |
||||||
ЭСЛ-типа |
|||||||||||
MB 7077 |
1024X4 |
25 |
20 |
625 |
КД-22 |
||||||
F 10470 DC |
4096 X1 |
30 |
25 |
1000 |
ПД-18 |
||||||
F100470DC, (PC) |
4096X1 |
35 |
25 |
877 |
ПД-18, КП-18 |
||||||
КМОП-типа |
|||||||||||
HMI-6514-2 HMI-6519-9 |
1024x4 |
270 |
240 |
0,25 |
ПД-18 |
||||||
NMC-6514J-2 NMC-6514J-9 |
1024X4 |
300 |
420 |
0,25 |
— |
||||||
HMI-6514-5 |
1024X4 |
320 |
420 |
2,5 |
ПД-18 |
||||||
HMI-6533-2 HMI-6533-9 |
1024X4 |
350 |
475 |
0,5 |
ПД-22 |
||||||
HM9-6533-2 |
1024X4 |
350 |
475 |
0,5 |
КП-22 |
||||||
MWS5H4-5D, (5E) |
1024X4 |
650 |
500 |
0,5 |
КД-18, ПД-18 |
||||||
MWS5114-D, (E) |
1024X4 |
650 |
500 |
0,25 |
КД-18, ПД-18 |
||||||
HMI-6504-2 HM I -6504-9 |
4096 X 1 |
270 |
350 |
0,25 |
ПД-18 |
||||||
HM9-6504-2 |
4096X1 |
270 |
350 |
0,25 |
КП-18 |
||||||
NMC-6504J-2 NMC-6504J-9 |
4096X1 |
300 |
420 |
0,25 |
— |
||||||
HMI -6504-5 |
4096-X 1 |
320 |
420 |
2,5 |
ПД-18 |
||||||
HMI-6543-2 |
4096 X 1 |
350 |
475 |
0,5 |
ПД-22 |
||||||
HM9-6543-2 |
4096 X 1 |
350 |
475 |
0,5 |
КП-22 |
||||||
NMC6504J-5 NMC6504-N-5 |
4096X1 |
350 |
500 |
2,5 |
— |
||||||
ТТЛ-типа |
|||||||||||
SN54S400J(N) |
|
[ |
|
|
|
||||||
SN54S401J(N) |
4096X1 |
75 |
75 |
500 |
— — |
||||||
SN74S400J(N) |
|
|
|
|
|
||||||
SN74S401 |
|
|
|
|
|
||||||
HM2540 |
4096 X 1 |
45 |
35 |
575 |
ПД-18 |
||||||
N82S400A-1 N82S401A-1 |
4096X1 |
45 |
70 |
775 |
КД-18 |
||||||
|
|||||||||||
N82S400-1 N82S401-1 |
4096X1 |
45 |
35 |
775 |
КД-18 |
||||||
93470DC, (PC) 93471DC, (PC) |
4096x1 |
55 |
30 |
950 |
ПД-18 |
||||||
93470DM 1 93471DM |
4096X1 |
55 |
30 |
1000 |
ПД-18 |
||||||
1. Для ЗУ КМОП-типа указана потребляемая мощность в режиме хранения.
Texas Instr., 7141 фирмы Intersil емкостью 4КХ1 и 2614 фирмы Signetics, 2114 фирмы Intel, 4045 фирмы Texas Instr. емкостью 1КХ4;
2) тактируемые ОЗУ, в которых каждый раз для получения результата надо выбирать кристалл, а затем возвращаться к невыбранному состоянию для перезарядки внутренних цепей. Потребляемый ток в невыбранном состоянии обычно меньше, длительность цикла примерно в 1,5 раза больше времени выборки адреса. Примером ЗУ такого типа служат изделия 4104 фирмы Mostek и 6104 фирмы Zilog с организацией 4КХ1 и 6114 фирмы Zilog с организацией 1КХ4;
3) нетактируемые ОЗУ с уменьшением потребляемой мощности, если кристалл не выбран (в режиме хранения информации). Примером таких ЗУ являются изделия 2147 и 2141 фирмы Intel. Время выборки адреса равно длительности цикла. Статические ЗУ такого типа наиболее перспективны.
Постоянные запоминающие устройства выпускаются двух типов: программируемые в условиях изготовления с помощью фотошаблона (так называемые масочные ПЗУ) и однократно программируемые в условиях эксплуатации (ППЗУ). Программирование осуществляется пережиганием плавких перемычек из нихрома, сплавов титана или поликристаллического кремния либо запатентованным фирмой Intersil методом миграции алюминия при лавинном пробое, в результате чего транзистор в матрице трансформируется в диод, закорачивающий соответствующие шины. Недостатком ППЗУ является однократное программирование. Возможность jie-однократно изменять информацию присуща РПЗУ. Выпускаемые в настоящее время РПЗУ относятся к двум типам: РПЗУ с плавающим затвором и со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (типов FAMOS) и РПЗУ на основе МНОП-структур с электрическим стиранием и программированием. В 1982 г. появился новый класс электрически стираемых РПЗУ на основе двузатворных n-МОП-структур, в которых один затвор — плавающий — используется для хранения заряда, другой — управляющий — для управления процессом записи и стирания информации (например, РПЗУ 2816, 2817 фирмы Intel).В табл. 3.16, 3.17 приведены параметры наиболее широко применяемых статических ОЗУ емкостью 4 Кбит и однократно программируемых ППЗУ емкостью свыше 1Кбит.