Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения

ПРЕДИСЛОВИЕ

Основной элементной базой современной радиоэлектронной ап­паратуры (РЭА) являются интегральные микросхемы (ИМС). Свой­ства, параметры, характеристики и особенности ИМС определяют технические, эксплуатационные и экономические характеристики РЭА.

Эффект от применения ИМС в РЭА состоит не только в том, что обеспечивается уменьшение ее массы, габаритов и стоимости, но и в том, что упрощается процесс ее проектирования, удешевляет­ся технология монтажа и сборки. Например, электронная вычисли­тельная машина CD 1604 в 1960 г. содержала 100 тыс. диодов и 25 тыс. транзисторов. В связи с появлением ИМС микрокалькулятор образца 1964 г. содержал уже вместо 21 тыс. дискретных элементов всего 29 МОП ИМС. В настоящее время подобный микрокалькуля­тор содержит всего одну большую ИМС. По зарубежным данным стоимость процесса сборки на дискретных элементах составляет 77 % стоимости всей аппаратуры, а на ИМС средней сложности — лишь 40 %.

Кроме того, при применении ИМС сокращаются работы по кор­ректировке, настройке, техническому обслуживанию и ремонту РЭА, уменьшается потребление мощности от источников питания.

Широкое применение ИМС в радиоэлектронной аппаратуре вы­зывает повышенный интерес к информации не только об отечествен­ных, но и зарубежных аналоговых и цифровых интегральных мик­росхемах. В книге приводятся сведения об условных обозначениях ИМС, электрических параметрах аналоговых ИМС (операционных усилителей, усилителей мощности, цифро-аналоговых и аналого-циф­ровых преобразователей, аналоговых ключей и коммутаторов; ИМС для вторичных источников питания) и цифровых ИМС (логических, запоминающих устройств и микропроцессоров) ведущих зарубежных фирм.

Типовые конструкции ИМС приведены в приложении.

Параграфы 2.4, 2.5 написаны Ю. М. Кутыркиным; предисловие, введение, разд. 1, § 2.1 — 2.3 — А. В. Нефедовым, разд. 3 — А. М. Сав­ченко.

Авторы

style='font-size:16.0pt'>ВВЕДЕНИЕ

Первые зарубежные лабораторные образцы ИМС (триггер и генератор сдвига фаз) были созданы в США в 1958 г.
фирмой Te­xas Instr. ( патент на первую ИМС был выдан Ж. Кильби и затем Р. Нойсу в 1959 г.). В дальнейшем в 1961 г. были выпущены серий­ные логические ИМС фирмами Fairchild (схема совпадений, регистр, триггер, содержавший четыре биполярных транзистора и два рези­стора) и Texas Instr. (серия SN51). В 1962 г. появились и первые аналоговые ИМС серии SN52 (маломощный усилитель низкой ча­стоты, операционный усилитель и видеоусилитель).

Радикальное изменение принципов создания ИМС принесли раз­работанная фирмой Fairchild в 1960 г. планарная технология для биполярных транзисторов, а также методы создания полевых тран­зисторов (транзисторы с р-n переходом были получены впервые в 1957 г., а МОП-транзисторы — в 1962 г.) Первая логическая МОП-схема была создана фирмой RCA в 1963 г. и содержала 16 МОП-транзисторов. В 70-е годы появилось много различных базовых технологий и новых технологических направлений, используемых для создания ИМС: р-МОП, n-МОП, КМОП, инжекционная логика (И2Л) в 1972 г., приборы с зарядовой связью (ПЗС) в 1970 г. и др. В настоящее время насчитывается около 50 технологических разно­видностей ИМС. Развитие микроэлектроники идет по пути повыше­ния уровня интеграции ИМС путем увеличения числа элементов и уменьшения структурных размеров элементов с помощью новых тех­нологических методов: от первых ИМС с малой степенью интегра­ции-SSI (менее чем 100 элементов на кристалл) до ИМС сред­ней — MSI (от 100 до 1000 элементов на кристалл) и большой — LSI (от 1000 до 100000 элементов на кристалл) степени интеграции. Например, у микропроцессора типа 8086 на кристалле площадью 33 мм2 содержится 29 тыс. транзисторов. Многие из современных больших ИМС эквивалентны по функциональным возможностям большим радиоэлектронным устройствам. В настоящее время насту­пила стадия создания и сверхбольших ИМС (VLSI). Значительное повышение уровня интеграции ИМС приводит к слиянию в единый технологический цикл процессов создания ИМС и РЭА.

Однако рост степени интеграции, а значит, и сложность ИМС, будет ограничи­ваться, очевидно, экономическими и практическими факторами из-за специфичности и узкого применения ( ограниченного спроса) таких сверхбольших ИМС, а также такими проблемами, как проблема внутренних межсоединений, занимающих все большую площадь по мере увеличения числа элементов. Кроме того, с уменьшением гео­метрических размеров элементов возрастает сопротивление межсо­единений, вследствие чего увеличивается мощность рассеяния и снижается быстродействие ИМС. Не менее важной проблемой явля­ется сборка ИМС в корпуса с большим числом выводов.

style='font-size:16.0pt'>РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ

style='font-size:16.0pt'> 

style='font-size:16.0pt'>УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЗАРУБЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

За рубежом существуют различные системы кодирования (обо­значения) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран и фирм.

В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется примерно 40 фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, ФРГ), выпускающими полупроводники. Основные принципы кодирования, по которым обозначения присваиваются организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.

Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000).

Первая буква (для одиночных схем) отражает принцип преоб­разования сигнала в схеме: S — цифровая схема; Т — аналоговая схема; U — смешанная аналого-цифровая схема.

Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозна­чаются гибридные схемы.

Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы обо­значают: FL, FZ, GD — цифровые схемы;

GA — маломощные ТТЛ-схемы; GF — стандартные ТТЛ-схемы; GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы; GM — маломощные с диодами Шоттки ТТЛ-схемы; НВ — комплементарные МОП-схемы 4000А; НС — комплементарные МОП-схемы 4500В.



Третья буква обозначает рабочий диапазон температуры или как исключение — другую важную характеристику:

А — температурный диапазон не нормирован;

В — от 0 до +70 °С;

С — от — 55 до +125 °С;

D — от — 25 до + 70°С;

Е — от — 25 до +85°С;

F — от — 40 до +85 °С;

G — от — 55 до +85°С.

Затем следует серийный номер. Он может быть либо четырех­значным числом или серийным номером, состоящим минимум из четырех цифр существующего внутрифирменного номера. Если по­следний состоит менее чем из четырех цифр, то количество цифр увеличивается до четырех путем добавления нулей перед ними.

Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначе­ния варианта (разновидности) основного типа.

При обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква показывает тип корпуса:

С — цилиндрический корпус;

D — с двухрядным параллельным расположением выводов

F — плоский (с двусторонним расположением выводов);

G — плоский (с четырехсторонним расположением выводов);

К — металлический корпус типа ТО-3;

Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов; вторая буква показывает материал корпуса: В — бериллиевая кера­мика; С — керамика; G — стеклокерамика; М — металл; Р — пласт­масса.

Ниже приводятся другие условные обозначения ИМС некото­рых зарубежных фирм. Вначале дается пример внутрифирменного обозначения, а затем на его основе показано цифро-буквенное ко­дирование ИМС.

Фирма Advanced Micro Devices

Пример обозначения AM 27 S 18 F M 1. Фирменное буквенное обозначение: AM.

2. Функциональное назначение и технология: 25 — специализи­рованные схемы со средним уровнем интеграции (MSI); 26 — интер­фейсные схемы; 27 — биполярные запоминающие устройства; 28, 90, 91, 92, 94, 95 — МОП-схемы; 29 — биполярные микропроцессоры.

3. Тип схемы: L — маломощные; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диодами Шоттки.

4. Серийный номер.

5. Тип корпуса: D — с двухрядным вертикальным расположени­ем выводов типа DIP; Р — пластмассовый; F — плоский; X — бес­корпусная ИМС.



6. Рабочий диапазон температуры: С — от 0°С до +75 °С (ком­мерческое назначение); М — от — 55°С до 125 °С (специальное на­значение).

Фирма American Microsystems Inc.

Пример обозначения S 1103 А 2 Р

1. Фирменное буквенное обозначение: S (другие варианты- MX UL, SP).

2; 3. Серийный номер прибора и его вариант.

4. Тип корпуса: 1 — пластмассовый: 2 — керамический с двух­рядным расположением выводов (Cer-DIP); 3 — керамический типа DIP с однослойной металлизацией (SLAM); 4 — керамический (трехслойный); 5 — типа ТО (стандартный корпус, принятый в США).

5. Количество выводов: С — 22; D — 14; F — 12 (корпус ТО) Н — 16; 1 — 28; L — 24; М — 40 (SLAM); Р — 18 (DIP); Т — 40- U — 16! W-24; Z-28.

Фирма Analog Devices

Пример обозначения AD 7520 J N

1. Фирменное буквенное обозначение: AD.

2. Серийный номер.

3. Диапазон температуры: А, В, С (промышленное назначение); J, К, L (коммерческое назначение); S, Т, U (специальное назначе­ние).

4. Тип корпуса: D — керамический типа DIP; F — плоский кера-митеский; Н — типа ТО-5; N — пластмассовый типа DIP.

Фирма Beckman Instruments Inc.

Пример обозначения 877- 85 М V - D1

1. Функциональное назначение: 801 — 809; 851 — 859 — регулято­ры напряжения; 811 — 816, 862, 863 — резистивные матрицы; 822, 823, 833, 866 — усилители; 840 — источники опорного (эталонного) напряжения; 845 — 872, 877 — цифро-аналоговые преобразователи; 873, 876 — аналого-цифровые преобразователи; 882, 883 — активные фильтры.

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: М — металлический; С, G — керамический.

4. Модификация.

5. Точность: D1 — лучшая.

Фирма Datel Systems Inc.

Пример обозначения AM 490- 2 А С

1. Функциональное назначение: ADC — аналого-цифровые пре­образователи; AM — усилители; DAC — цифро-аналоговые преобра­зователи; DAS — система сбора данных; FLT — фильтры; MV, MX — мультиплексоры; SHM — схемы выборки и хранения; VF — преобразователи напряжение — частота; VI — инвертор напряжения; VR — источник опорного напряжения; ТТ — датчик температуры.



2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: а) для монолитных схем: 1 — DIP с 14 вывода­ми; 2 — металлический ТО-99; б) для гибридных схем: G — пласт­массовый; М — металлический.

4. Вариант прибора по параметрам.

5. Диапазон температуры: С — от 0°С до 70 °С; М — от — 55 °С до + 125 °С; R — от — 25 °С до -1-85 °С.

Фирма Exar Integrated Systems

Пример обозначения: XR 567 С Р

1. Фирменное буквенное обозначение: XR.

2. Серийный номер.

3. Диапазон температуры: С — коммерческое назначение; М — специальное назначение.

4. Тип корпуса: D — бескорпусная ИМС; К — ТО-66 (модифи­кация); Р — пластмассовый; N — керамический; Т — металлический (ТО-99; ТО-100; ТО-101).

Фирма Fair child

Пример обозначения: цА 741А Н М; 35342 D С

1. Фирменное буквенное обозначение: F — основной разработ­чик; SH — гибридные схемы; цА — аналоговые схемы.

2. Серийный номер и модификация схемы.

3. Тип корпуса: С — бескорпусная ИМС; D — керамический DIP (ТО-116); Е — пластмассовый (ТО-105; ТО-106); F — плоский (ТО-86; ТО-91); Н — металлический (ТО-5; ТО-18; ТО-33; ТО-39; ТО-52; ТО-71; ТО-72; ТО-78; ТО-96; ТО-99; ТО-100; ТО-101); J — ме­таллический (ТО-66); К — металлический (ТО-3); Р — пластмассо­вый типа DIP; R — керамический типа мини-DIP; Т — пластмассо­вый типа мини-DIP; U — пластмассовый (ТО-220); W — пластмассо­вый (ТО-92).

4. Диапазон температуры: С — от 0°С до +75°С (для КМОП-схем от — 40 °С до +85°С); L — для МОП-схем от — 55 °С до + 85 °С (для аналоговых схем от — 20 °С до +85 °С); для гибрид­ных схем — от — 20°С до +85°С; М — от — 55°С до +85/125°С; V — от — 40°С до +85°С.

Фирма General Instrument

Пример обозначения RO 6 хххх хх

1. Фирменное буквенное обозначение: AY, CU — матрицы; СР — микропроцессоры; DL, DS — динамические сдвиговые регистры ем­костью соответственно более и менее 50 бит; ER — перепрограмми­руемые постоянные запоминающие устройства с электрическим сти­ранием информации; LC — линейные схемы; LG — логические схемы; MEM — мультиплексоры, ключи, счетчики на полевых транзисторах; MUX — коммутаторы (мультиплексоры); NC, PC — гибридные схе­мы; PIC, SBA — однокристальные микро-ЭВМ; RA — оперативные запоминающие устройства; RO — постоянные запоминающие устрой­ства; SL и SS — статические сдвиговые регистры емкостью соответ­ственно более или менее 50 бит.



2. Диапазон температуры и технология: 0 — от — 55 °С до +85 °С (MTOS); 1 — от 0°С до +70 °С (MTOS); 4 — с n-каналом; 5 — от 0°С до +70 °С (MTNS); 6 — от — 55 °С до +125°С; 7 — MTNS; 8 — от — 55°С до +125°С (с кремниевым затвором); 9 — от 0°С до +70°С (с кремниевым затвором).

3. Для мультиплексоров первые две цифры показывают типовое значение сопротивления канала в открытом состоянии tds: 01 < <100 Ом; 02<200 Ом; 03<300 Ом и т. д. Остальные две цифры показывают число каналов.

Для оперативных и постоянных запоминающих устройств четы­ре цифры показывают значение информационной емкости (число бит). Для сдвиговых регистров первая цифра показывает количест­во схем в корпусе (1 — одна; 2 — две; 3 — три и т.д.). Остальные три цифры показывают число бит.

4. Тип корпуса: 01 — бескорпусная ИМС; 12 — с 8 выводами DIP; 14 — типа ТО-5 с 4 выводами; 15 — типа ТО-78 с 8 выводами; 16 — типа ТО-5 с 8 выводами; 17 — типа ТО-5 с 8 выводами (моди-.фикация); 21 — типа ТО-5 с 10 выводами; 22 — типа ТО-5 с изоли­рованными выводами; 23 — типа ТО-100 с 10 выводами; 29 — пласт­массовый DIP с 24 выводами; 30 — пластмассовый DIP с 14 выво­дами; 31 — пластмассовый с 16 выводами; 32 — пластмассовый DIP с 24 выводами; 33 — пластмассовый DIP с 40 выводами; 35 — пло­ский пластмассовый с 36 выводами; 51 — типа ТО-8 с 12 выводами; 55 — DIP с 16 выводами; 60 — плоский с 10 выводами; 61 — плоский с 14 выводами; 62 — плоский с 16 выводами; 63 — плоский с 20 вы­водами; 64 — плоский с 24 выводами; 65 — плоский с 40 выводами; 66 — с 36 выводами; 68 — плоский с 44 выводами; 69 — DIP с 14 выводами; 71 — с 16 выводами; 72 — DIP с 24 выводами; 73 — DIP с 24 выводами (модификация); 74 — DIP с 40 выводами; 75 — DIP с 40 выводами (модификация); 76 — DIP с 28 выводами; 77 — DIP с 18 выводами; 79 — DIP с 24 выводами (модификация); 80 — ке­рамический DIP с 14 выводами; 81 — керамический DIP с 16 выво­дами.

Фирма Harris Sem

Пример обозначения Н А 1 - 2900 - 2

1.


Фирменное буквенное обозначение: Н.

2. Функциональное назначение: А — аналоговые схемы; В — от­ладочное плато; С — схемы средств связи; CF — бескорпусная ИМС; D — цифровые схемы; I — интерфейсные схемы (ключи, коммутато­ры, ЦАП и т.д.); М — запоминающие устройства, микропроцессоры, диодные матрицы; PROM — программируемые постоянные запоми­нающие устройства; RAM — оперативные запоминающие устройства; ROM — постоянные запоминающие устройства; S — программное обеспечение; Т — транзисторные сборки.

3. Тип корпуса: 1 — типа DIP с двухрядным расположением вы­водов; 2 — типа ТО-5; 3 — пластмассовый типа DIP; 4 — безвывод­ной; 7 — типа мини-DIP; 9 — плоский; 0 — бескорпусная ИМС.

4. Серийный номер.

5. Диапазон температуры: 1 — от О°С до +200°С; 2 — от — 55 °С до +125°С; 4 — от — 25° С до +85 °С; 5 — от О °С до +75 °С; 9 — от — 40 °С до 85 °С (для серии 4000 КМОП); от — 55 °С до +125°С (для серии 5400); от 0°С до + 70°С (для серии 7400).

Фирма Hitachi

Пример обозначения: HD 25 48 Р

1. Фирменное буквенное обозначение: НА — аналоговые; HD — Цифровые; HN — постоянные запоминающие устройства (ROM); НМ — оперативные запоминающие устройства (RAM),

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: Р — пластмассовый.

Фирма JTT

Пример обозначения: MIC 9300 1 D

1. Фирменное обозначение: ITT, MIC, SAK, SAJ, SAY, TAA, ТВА, ТСА, TDA (в соответствии с системой Pro Electron).

2. Серийный номер и вариант прибора.

3. Диапазон температуры: 1 — от — 55 °С до +125°С; 5 — от 0°Сдо +75°С.

4. Тип корпуса: В — плоский; С — типа ТО-5; D — керамиче­ский типа DIP; N — пластмассовый типа DIP.

Фирма Intel

Пример обозначения; I Р 3301A L-4

1. Рабочий диапазон температуры: I — промышленное назначе­ние; М — специальное назначение.

2. Тип корпуса: В — керамический типа DIP; С — металлокера-мический типа DIP; D — стеклокерамический типа DIP; М — метал­лический; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС.

3. Серийный номер и вариант прибора.

4. Модификация по мощности, быстродействию и другим пара­метрам.



Фирма Intersil Inc.

Пример обозначения: IM 6518A М D D

1. Фирменное буквенное обозначение: DG — аналоговые ключи; D — схемы управления; IH — гибридные схемы; ICL — аналоговые схемы; ICM — таймеры; IM — цифровые схемы или запоминающие устройства.

2. Серийный номер и вариант прибора (буква).

3. Диапазон температуры: С — от 0°С до +70 °С; I — от — 40 °С до +70°С; А, М — от — 55 °С до +125 °С; В — от — 20 °С до +85 °С.

4. Тип корпуса: В — пластмассовый плоский миниатюрный; D — керамический типа DIP; Е — типа ТО-8; F — плоский керамический; 1 — DIP с 16 выводами; J — керамический типа DIP; К — типа ТО-3 с 8 выводами; L — керамический безвыводной; Р — пластмассовый типа DIP; Q — металлический с двумя выводами; Т — типа ТО-5; DR — типа ТО-72.

5. Число выводов: А — 8; В — 10; С — 12; D — 14; Е — 16; F — 22; G — 24; 1 — 28; J — 32; К — 36; L — 40; М — 48; N — 18.

Для серии 7600 ( операционные усилители) пример обозначения: ICL 7611A C TY

2. Третья цифра в серийном номере показывает: I — одиночные;

2 — сдвоенные; 3 — строенные; 4 — счетверенные; буква показывает значение напряжения смещения нуля: А — 2 мВ; В — 5 мВ; С — 10 мВ; D — 15 мВ; Е — 25 мВ.

3. Диапазон температуры: С — от 0°С до +70°С; М — от — 55 °С до +125°С.

4. Тип корпуса: TY — типа ТО-99 с 8 или 4 выводами; РА — пластмассовый мини-DIP с 8 выводами; PD — пластмассовый с 14 выводами; РЕ — пластмассовый с 16 выводами; JD — керамический DIP с 14 выводами; JE — керамический DIP с 16 выводами.

Фирма Matsushita (Panasonic)

Пример обозначения: DN 830

1. Фирменное буквенное обозначение: AN — аналоговые схе­мы; DN — цифровые биполярные схемы; MN — цифровые МОП-схемы; М, J — разрабатываемые образцы.

2. Серийный номер.

Фирма Mitsubishi Electric Corp.

Пример обозначения: М 5 1 01 Р

1. Фирменное буквенное обозначение приборов серийного произ­водства: М.

2. Диапазон температуры: 5 — промышленное назначение; 9 — специальное назначение.

3. Функциональное назначение и технология (типы серий): О — КМОП; 1, 10 — 19 — аналоговые; 3, 32, 33, 41 — 47 — ТТЛ; 8, 81, 82 — МОП; 9 — ДТЛ; 84, 89 — КМОП; 87 — n-МОП; 85, 86, 88 — р-МОП.



4. Серийный номер.

5. Тип корпуса: К — стеклокерамический типа DIP (K-1 с 16 вы­водами); Р — пластмассовый (Р-1 с 14 выводами типа ТО-116; Р-2 с 14 выводами; Р-3 с 16 выводами; Р-4 с 18 выводами; Р-5 с 24 вы­водами; Р-11 с 8 выводами); S — металлокерамический;Т — метал­лический (Т-1 с 8 выводами типа ТО-99; Т-2 с 10 выводами типа ТО-100); Y — металлический с 10 выводами, модификация корпуса типа ТО-3.

Фирма Monolithic Memories

Пример обозначения: 6 2 41-1 J; SN 74 LS 373 J

1. Фирменное буквенное обозначение: SN, PAL — программируе­мые логические матрицы.

2. Диапазон температуры: 5, 54, 57М — специальное назначение; 6, 67, 74; С — коммерческое назначение.

3. Функциональные группы: 2 — постоянные запоминающие уст­ройства; 3 — программируемые постоянные запоминающие устрой­ства; 5 — оперативные запоминающие устройства; 7 — микро-ЭВМ (процессорно ориентированные БИС).

4. Серийный номер.

5. Технология: 1 — ТТЛ с диодами Шоттки; 2 — усовершенство­ванный вариант; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диода­ми Шоттки.

6. Тип корпуса: F — плоский; J — керамический типа DIP; L — безвыводной; N — пластмассовый типа DIP.

Фирма Mostek Corp.

Пример обозначения: МК 4027 Р

1. Фирменное буквенное обозначение: МК.

2. Серийный номер, 1ХХХ или 1ХХХХ — регистры сдвиговые, постоянные запоминающие устройства (ROM); 2ХХХ ЗХХХ или 2ХХХХ, ЗХХХХ — постоянные запоминающие устройства; перепро­граммируемые запоминающие устройства со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами; 4ХХХ или 4ХХХХ — оперативные запо­минающие устройства (RAM); 5ХХХ или 5ХХХХ — счетчики для аппаратуры связи и промышленного применения.

3. Тип корпуса: Е — безвыводной с керамическим кристаллодер-жателем (микрокорпус); F — керамический плоский; J — керамичес­кий DIP (Cer-DIP); К — керамический типа DIP с металлической крышкой; М — пластмассовый плоский; N — пластмассовый типа DIP; Р — с позолоченной крышкой керамический типа DIP; Т — ке­рамический типа DIP с прозрачной крышкой..



Фирма Motorola

Пример обозначения: МС 14510А L

1. Фирменное буквенное обозначение: МС — корпусные инте­гральные схемы; МСВ — корпусные схемы с балочными выводами; МСВС — бескорпусные (кристаллы) схемы с балочными выводами; МСС — кристаллы бескорпусных интегральных схем; MCCF — линей­ные интегральные схемы с шариковыми выводами; МСЕ — интеграль­ные схемы с диэлектрической изоляцией элементов; МСМ — инте­гральные схемы запоминающих устройств; MLM — эквиваленты линейных интегральных схем, выпускаемых фирмой National Semicon­ductor.

2. Серийный номер и вариант прибора. Цифровое обозначение может показывать рабочий диапазон температуры, например при­боры серии 1400 работают при температуре от 0°С до +75°С, а 1500 от — 55 °С до +125°С.

3. Тип корпуса: F — плоский керамический; G — металлический (типа ТО-5); К — металлический ТО-3; L — керамический типа DIP; Р — пластмассовый; PQ — пластмассовый типа DIP; R — металли­ческий типа ТО-66; Т — пластмассовый типа ТО-220; U — керамичес­кий.

Фирма National Semiconductor Corp. (NSC)

Примеры обозначения: LF 355А N; АDC 0800 P C N

1. Фирменное буквенное обозначение: ADC — аналого-цифровые преобразователи; АЕЕ — для микро-ЭВМ; AF — активные фильтры; АН — аналоговые ключи (гибридные); AM — аналоговые ключи (мо­нолитные); CD — КМОП-схемы (только для серии 4000); СОР — мик­роконтроллеры; DAC — цифро-аналоговые преобразователи; DH — цифровые (гибридные) схемы; DM — цифровые (монолитные) схе­мы; DP, DS — микропроцессоры и интерфейсные схемы; IDM, IMP, INS, IPC, ISP, NSC (серии 800, 1600) — микропроцессоры; LF — аналоговые схемы по BI FET технологии; LFT — аналоговые схемы по BIFET-II технологии; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы; МН — гибридные МОП-схемы; ММ — монолитные МОП-схемы; NH — гибридные схемы (устаревшие); SD — специальные цифровые схемы; SL — специальные аналоговые схемы; SM — специальные МОП-схемы.

Примечание. Для преобразователей (ЦАП и АЦП) третья буква в буквенном обозначении обозначает: С — полные (функцио­нально законченные); В — стандартные блоки; D — измерительные приборы с цифровым отсчетом; М — модульные.



2. Серийный номер (основной тип) и дополнительные буквы: fc — улучшенные электрические характеристики; С — промышленный диапазон температуры. Для ЦАП и АЦП цифры показывают коли­чество разрядов: 08 — 8 бит; 10 — 10 бит; 12 — 12 бит; 25, 35, 37, 45 — 2 — , 3 , 3 — , 4 — двоичных разрядов соответственно.

3. Для ЦАП и АЦП технология: Р — р-МОП; С — КМОП; Н — гибридные; В — биполярные; N — n-МОП; L — линейные; I — И2Л.

4. Для ЦАП и АЦП диапазон температуры: С (промышленное назначение).

5. Тип корпуса: D — металлостеклянный типа DIP; F — плоский металлостеклянный; G — металлический ТО-8 с 12 выводами; Н — металлический многовыводной (Н-05 — ТО-5 с 4 выводами; Н-46 ти­па ТО-46 с 4 выводами); J — керамический типа DIP (J-8 мини-DIP с 8 выводами; J-14 с 14 выводами; К — металлический типа ТО-3; КС — металлический (алюминиевый) типа ТО-3; N — пластмассовый (N-8 мини-DIP с 8 выводами; N-14 с 14 выводами); Р — ТО-202 с 3 выводами; Т — ТО-220 пластмассовый с 3 выводами; S — пластмас­совый с 14 выводами большой мощности; W — керамический плос­кий; Z — с 3 выводами пластмассовый ТО-92.

Для аналоговых схем в серийном номере первая цифра показы­вает;, 1 — диапазон температуры от — 55 °С до +125°С (за исклю-

ченнем серии LM1800 для коммерческой аппаратуры); 2 — от — 25 ЭС до +85 °С; 3 — от 0 до +70 °С.

Для цифровых схем: первые две цифры в серийном номере по­казывают: 54, 55 — специальное назначение; 74, 75 — коммерческое назначение (все другие типы с обозначением, начинающимся с цифры 7, имеют диапазон температуры от +55 °С до +125°С); все типы с обозначением, начинающимся с цифры 8, имеют диапазон температуры от О °С до 70 °С.

Интегральные микросхемы для вторичных источников питания обозначаются по специальной цифровой системе.

Фирма Nippon Electric Corp (NEC)

Пример обозначения: цР В 1 А

1. Фирменное буквенное обозначение: мP.

2. Функциональное назначение: А — набор элементов; В — циф­ровые биполярные (запоминающие устройства); С — аналоговые биполярные схемы; D — цифровые МОП-схемы.



3. Серийный номер.

4. Тип корпуса: А — типа ТО-5; В — плоский; С — пластмассовый типа DIP; D — керамический типа DIP.

Фирма Plessey

Пример обозначения: SL 521 DG

1. Фирменное буквенное обозначение: MJ — n-МОП; ML, MT — аналоговые МОП; МР — цифровые МОП; NOM — запоминающие устройства; SL — биполярные аналоговые; SP — биполярные цифро­вые.

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: СМ — типа ТО-5 (многовыводной); DG — кера­мический типа DIP; DP — пластмассовый типа DIP; ЕР — для ИМС большой мощности; FM — плоский с 10 выводами; GM — плоский с 14 выводами; КМ — типа ТО-3; SP — пластмассовый с однорядным расположением выводов.

Фирма Precision Monolithics Inc. (PMI)

Пример обозначения: OP 01H К

1. Фирменное буквенное обозначение: BUF — изолирующие или развязывающие (буферные) усилители, повторители напряжения; СМР — компараторы напряжения (прецизионные); DAC — цифро-аналоговые преобразователи; МАТ — подобранные сдвоенные моно­литные транзисторы; MUX — мультиплексоры; ОР — операционные усилители; РМ — отвечающие стандартной спецификации; REF — прецизионные источники опорного напряжения; SMP — схемы вы­борки и хранения; SSS — схемы, отвечающие улучшенной специфи­кации; SW — аналоговые ключи.

2. Серийный номер и вариант прибора.

3. Тип корпуса: Н — ТО-78; J — ТО-99; К — ТО-100; L — плос­кий с 10 выводами; М — плоский с 14 выводами; N — плоский с 24 выводами; Р — пластмассовый (мини-DIP) с 8 выводами; Q — DIP с 16 выводами; Т — DIP с 28 выводами; V — DIP с 24 вывода­ми; W — DIP с 40 выводами; X — DIP с 18 выводами; Y — DIP с 14 выводами.

Фирма Raytheon Sem.

Пример обозначения: RS И8 DD; AM 2901 D M

1. Фирменное буквенное обозначение: LH1, LM1, RM (диапазон температуры от — 55 °С до +125°С); LH2, LM2 (от — 25 °С до +85 °С); LH3, LM3, RC (от 0°С до +70 °С); RV (от — 40 °С до + 85°С); элементы микро-ЭВМ: AM, R; 93.

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: BL — с балочными выводами; ВМ — пластмас­совый DIP с 16 выводами; CJ, СК — плоский керамический с 14 вы­водами; CL — плоский керамический с 16 выводами; JD — металли­ческий DIP с 14 выводами; DB — пластмассовый DIP с 14 выводами; DC, DD, DE — керамические DIP с 14, 16 и 8 выводами соответст­венно; DM — керамический DIP с 16 выводами; DZ — керамический DIP с 40 выводами; F — плоский; FY — плоский керамический с 28 выводами; FZ — плоский керамический с 42 выводами; Н — ме­таллический с 3, 8 или 10 выводами; J — керамический DIP с 14 или 16 выводами; К — типа ТО-3; MB — пластмассовый DIP с 16 выво­дами; ML, MS, MZ — керамические типа DIP с металлической крышкой с 16, 20 и 40 выводами соответственно; N — плоский ме­таллический с 24 выводами; NB — пластмассовый DIP с 8 вывода­ми; PS, PU, PV, PZ — пластмассовый DIP с 20, 24, 28 и 40 вывода­ми соответственно; Q — плоский с 10 выводами; R — керамический DIP с 24 выводами; Т — металлический с 3, 8 или 10 выводами;, ТК — типа ТО-66 с 3 выводами; W — плоский керамический с 14 выводами.



Для микро-ЭВМ: D — с двухрядным расположением выводов; F — плоский; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС.

4. Диапазон температуры: С — от О °С до +75 °С; М — от — 55 °С до +125°С

Фирма RCA Solid State

Пример обозначения: CD 4070 D

1. Фирменное буквенное обозначение: СА — аналоговые схемы; CD — цифровые схемы; CDP — микропроцессоры; MW — МОП-схе­мы; внутрифирменное обозначение для всех классов полупроводни­ковых приборов: ТА.

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: D — керамический типа DIP; E — пластмассо­вый DIP; F — керамический типа DIP; G — кристалл с пластмассо­вой герметизацией; Н — бескорпусная ИМС; К — керамический плос­кий; L — с балочными выводами; Q — с 4-рядным расположением выводов; S, Т — типа ТО-5.

Фирма Sanyo

Пример обозначения: LA 1230

1. Фирменное буквенное обозначение: LA — биполярные линей­ные; LB — биполярные цифровые; LC — КМОП; LE — n-МОП; LM — рМОП; LD, STK — тонкопленочные и толстопленочные схемы.

2. Серийный номер.

Фирма Sescosem (Thomson)

Пример обозначения:SF F 8 1104A P T

1. Фирменное буквенное обозначение: SF (имеются и другие сбозначения, например ESM, TDB).

2. Технология: С — биполярные; F — МОП.

3. Функциональные группы: 1 — мультиплексоры (коммутато­ры); 2 — аналоговые или КМОП логические схемы; 3 — динамичес­кие сдвиговые регистры; 4 — статические сдвиговые регистры; 5 — универсальные; 7 — постоянные запоминающие устройства; 8 — опе­ративные запоминающие устройства; 9 — микропроцессоры.

4. Серийный номер: три цифры с буквой, обозначающей вариант, для аналоговых ИМС; от двух до пяти цифр для цифровых ИМС и дополнительно от двух до четырех цифр для обозначения номера типа.

5. Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5; ТО-99; ТО-100); D — пластмассовый типа мини-DIP; Е — пластмассовый DIP (ТО-116; МР-117); G — керамический типа ми­ни-DIP; J — керамический типа DIP; К — керамический типа DIP; Р — плоский (ТО-91); R — металлический (ТО-3); U — пластмассо­вый плоский мини-корпус.



6. Диапазон температуры: при отсутствии буквы для цифровых схем — от 0°С до +70 °С; С — от 0°С до +70°С; Т — от — 25 °С до + 85°С; V — от — 40°С до +85°С; М — от — 55°С до +125°С.

Фирма Signetics Corp. (Philips)

Пример обозначения: N 74123 F

1. Рабочий диапазон температуры: N или NE — от 0°С до 70 °С (N8 — от 0°С до +75°С); S или SE — от — 55°С до 125°С; SA — от — 40 °С до 85 °С; SU — от — 25 °С до +85 °С; серии 5400 — от — 55 °С до +125 °С; серии 7400 — от О °С до +70 °С.

2. Серийный номер: 8200 — стандартные MSI; 82SOO — с дио­дами Шоттки MSI; 8T — интерфейсные схемы.

Примечание: Типы приборов, выпускаемых с обозначением других фирм:-СА, DS, LF, LH, LM, МС, ОМ, SG, ТАА, ТВА, ТСА, TDA, TDB, TEA, UA, ULN — аналоговые стандартные; DAC — циф­ро-аналоговые преобразователи; HEF, MB, MJ, PCD, PCE — серии КМОП; SAF, SC — цифровые; SD — аналоговые ДМОП.

3. Тип корпуса: D — микроминиатюрный пластмассовый (типа SO) с 8, 14 или 16 выводами; N — пластмассовый с 8, 14, 16, 18, 22, 24, 28 или 40 выводами; F — керамический DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24 или 28 выводами; Н — металлический ТО-99 или ТО-100; I — керамический DIP с 8, 10, 14, 16, 18, 24, 28, 40 или 50 вывода­ми; К — ТО-100; L — ТО-99; Q — керамический плоский с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — бериллиевый плоский с 16, 18, 24, 28 или 40 вы­водами; W — керамический плоский с 10, 14, 16 или 24 выводами.

Фирма Siticonix Sem. Dev.

Пример обозначения: DG 187 А Р

1. Фирменное буквенное обозначение: D — схемы управления для ключей на полевых транзисторах; DF-цифровые схемы; DG — аналоговые ключи; DGM — аналоговые ключи (монолитный вариант гибридных схем); G — многоканальные переключатели; Н — высоко­вольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD — аналого-цифровые преобразователи; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы.

2. Серийный номер (три или четыре цифры).

3. Диапазон температуры: А — от — 55 °С до +125°С- В от — 20 °С до +85 °С; С — от О °С до +70 °С; D — от — 40 °С до + 85°С.



4. Тип корпуса: А — ТО-99, ТО-100; F — плоский с 14 и 16 вы­водами; J — пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К — керами­ческий DIP с 14 и 16 выводами; L — плоский с 10 и 14 выводами; Р — DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пласт­массовый типа мини-DIP.

Фирма Silicon General

Пример обозначения: SG 108 AT

1. Фирменное буквенное обозначение: SG

2. Серийный номер.

3. Характеристика: А — улучшенный вариант; С — ограничен­ный температурный диапазон.

4. Тип корпуса: F — плоский; J — DIP (Cerdip) с 14 и 16 выво­дами; К — типа ТО-3; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый DIP с 14, 16 выводами; Р — типа ТО-220 пластмас­совый; R — типа ТО-66 (3 и 8 выводов); Т — типа ТО-5 (ТО-39 ТО-99, ТО-100, ТО-101); Y — керамический DIP (Cerdip) с 8 выво­дами.

Фирма Sprague Electric Пример обозначения: UL N 2004 А

1. Фирменное буквенное обозначение: UC — серии КМОП, PL; U.D — цифровые формирователи; UG — с датчиками Холла; UL — аналоговые схемы; UH — интерфейсные.

2. Диапазон температуры: N — от — 25 СС до +70 °С- S — от  — 55 °С до +125°С.

3. Серийный номер.

4. Тип корпуса: А — пластмассовый типа DIP; В — пластмассо­вый типа DIP с теплоотводом; С — бескорпусная ИМС; D — ТО-99; Е — пластмассовый DIP с 8 выводами; F — ТО-86 или с 30 вывода­ми плоский; J — TO-87; К — ТО-100; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый с 4-рядным расположением выво­дов; R — керамический DIP с 8 выводами; S — с однорядным рас­положением выводов SIP с 4 выводами; Т — SIP с 3 выводами- Y — ТО-92; Z — типа ТО-220 с 5 выводами. Для серии UH : 2 — тип корпуса (С — плоский; К — бескорпус­ная ИМС; D — типа DIP; Р — пластмассовый типа DIP).

Фирма Solitron

Пример обозначения: СМ 4000 A D

1. Фирменное буквенное обозначение: СМ — КМОП; UC4XXX — аналоговые схемы; UC6XXX, UC7XXX — запоминающие устройства (р-МОП-схемы).

2. Серийный номер.

3. Рабочее напряжение: А — (3 — 15) В; В — (3 — 18) В.

4. Тип корпуса и диапазон температуры:



а) для КМОП-схем; D — керамический типа DIP, от — 55 °С до + 125°С; Е — пластмассовый типа DIP, от — 40°С до +85°С- F — керамический типа DIP, от — 55 °С до +85 °С; Н — бескорпусная ИМС; К — плоский, от — 55 °С до +85 °С;

б) для аналоговых схем: без буквы — ТО-99, от — 55 °С до 125 °С; С — ТО-99, от О °С до +70 °С; СЕ — мини-DIP с 8 выводами, от О °С до +70 °С; ID — бескорпусная ИМС.

Фирма Texas Instruments

Примеры обозначения: SN 74 S 188 J; IMS 4030 - 15 J L

1. Фирменное буквенное обозначение: SBP — биполярные мик­ропроцессоры; SN — стандартные типы ИМС; SNA, SNC, SNH, SNM — повышенной надежности; ТВР — биполярные запоминающие устройства; TL — аналоговые схемы; TMS — МОП-схемы (запоми­нающие устройства; микропроцессоры); ТМ — модули микро-ЭВМ.

2. Диапазон температуры: серии 52, 54, 55, ТР — от — 55 °С до +125 °С; серии 72, 74, 75 — от О °С до +70 °С; серия 62 — от — 25 °С до +85 °С; для биполярных схем: С — от 0°С до +70°С; I — от — 25 °С до +85 °С; Е — от — 40 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С; для МОП-схем (TMS): L — от 0°С до +70°С; С — от — 25 °С до + 85°С; R — от — 55 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С.

3. Классификация для ТТЛ-схем: Н — быстродействующие, L — маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; S — с дио­дами Шоттки.

4. Серийный номер.

5. Тип корпуса: FA — плоский; J — плоский керамический; JA, JB, JP — с двухрядным расположением выводов типа (DIP); L, LA — металлический; N — пластмассовый; ND, Р — пластмассовый типа DIP; RA, U, W — плоский керамический; SB — плоский метал­лический; Т — плоский металлостеклянный.

6. Только для быстродействующих МОП-схем в обозначении дополнительно указывается быстродействие: 15 — <150 не; 20 — < <200 не; 25 — <250 не; 35 — <350 не.

Фирма Toshiba

Пример обозначения: ТА 7173А Р Т 2 Т

1. Фирменное буквенное обозначение: ТА — биполярные ли­нейные (аналоговые) схемы; ТС — КМОП-схемы; TD — биполярные цифровые схемы; ТМ — МОП-схемы.

2. Серийный номер и вариант прибора (А — улучшенный).



3. Тип корпуса: С — керамический; М — металлический; Р — пластмассовый.

Фирма TRW

Пример обозначения: TDC 1016 J M

1. Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; TDC — все другие функции.

2. Серийный номер.

3. Тип корпуса: J — керамический типа DIP; N — пластмассо­вый типа DIP.

4. Диапазон температуры: М — от — 55 °С до +125°С; без обо­значения — от О °С до +70 °С.

В табл. 1. 1 приведены буквенные обозначения ИМС, выпускае­мых различными фирмами.

Таблица 1.1. Буквенные обозначения ИМС различных фирм

Буквенное обозна­чение	Фирма	Буквенное обозна­чение	Фирма
AD	Analog Devices	HS	Harris
ADC	Datel Systems (DS)	HT	Harris
ADX	National Sem. Corp.	IB	Intel
	(NSC)	1C	Intel
AF	NSC	ICL	Intersil
АН	NSC	ICM	Intersil
AM	Advanced Micro De-	ID	Intel
	vices	IDM	NSC
AN	Matsushita	IH	Intersil
AY	General Instrument	IM	Intel, Intersil, NSC
	(GI)	IMP	NSC
BUF	Precision Monolithics	INS	NSC
	Inc. (PMI)	IP	Intel
CA	RCA	IPC	NSC
CD	RCA; NSC	ISP	NSC
CDP	RCA	ITT	ITT
CF	Harris	IX	Intel
CM	Solitron	J	Matsushita
CMP	PMI	L	Siliconix, SGS-Ates
CP	GI	LA	Sanyo
CU	GI	LB	Sanyo
D	Intersil; Siliconix	LC	Sanyo; GI
DAC	DS; PMI	LD	Siliconix
DAS	DS	LE	Sanyo
DAX	NSC	LF	NSC
DF	Siliconix	LFT	NSC
DG	Intersil; Siliconix	LG	GI
DGM	Siliconix	LH	NSC; Raytheon; Sili-
DH	NSC		conix
DL	GI	LM	NSC; Raytheon; Sa-
DM	NSC		ny; Siliconix; Signe-
DN	Matsushita		tics
DP	NSC	M	Mitsubishi; Matsushita
DS	GI; NSC	MAA	ITT
ER	GI	MAT	PMI
ESM	Sescosem (Thomson)	MB	Intel; Fujitsu
F	Fairchild	MC	Motorola; Intel
G	Siliconix	MCB	Motorola
H	Siliconix	MCBC	Motorola
HA	Harris; Hitachi	MCC	Motorola
HC	Harris	MCCF	Motorola
HD	Harris; Hitachi	MCE	Motorola
HI	Harris	MCM	Motorola
HM	Harris; Hitachi	MD	Intel
HN	Hitachi	MEM	GI
HPROM	Harris	MH	NSC
HRAM	Harris	MIC	ITT
HROM	Harris	MK	Mostek
ML	Plessey	SM	NSC
MLM	Motorola	SMP	PMI
ММ	Intel, NSC	SN	TI; Monolithic Memo-
MN	Matsushita		rices
МР	Intel; Plessey	SNA	TI
мт	Plessey	SNC	TI
мих	PMI	SNH	TI
MV	Datel Systems (DS)	SNM	TI
MX	DS; American Micro*	SP	American Microsys-
	systems; Intel		tems; Plessey
MW	RCA	ss	GI
N	Signetics	sss	PMI
NC	GI	STK	Sanyo
NE	Signetics	su	Signetics
NH	NSC	sw	PMI
NOM	Plessey	ТА	Toshiba; RCA
OP	PMI	TAA	ITT; Siemens; Valvo;
PAL	Monolithic Memories		Telefunken
PC	GI	TBA	ITT; Siemens; Valvo;
PIC	GI		Telefunken
PM	PMI	TBB	Siemens
R	Raytheon	TBC	Siemens
RA	GI	TBP	TI
RC	Raytheon	TC	Toshiba
REF	PMI	TCA	ITT; Siemens; Valvo;
RM	Raytheon		Telefunken
RO	GI	TD	Toshiba
RV	Raytheon	TDA	ITT; Siemens; Telefunken
S	American Microsystems; Signetics	TDB	Sescosem; Siemens
SA	Signetics	TDC	TRW; Siemens
SAB	Telefunken	TL	TI; Telefunken
SAK	ITT; Valvo	TM	Toshiba
SAJ	ITT	TMS	TI
SAS	Telefunken	и	Telefunken
SAY	ITT	UAA	Telefunken
SBA	GI	UCN	Spraque
SBP	Texas Instruments	ucs	Spraque
	(TI)	UC4	Solitron
SD	NSC	UC6	Solitron
SDA	Siemens	UC7	Solitron
SE	Signetics	UDN	Spraque
SFC	Sescosem	UDS	Spraque
SFF	Sescosem	UGN	Spraque
SG	Silicon General	UL	American Microsys-
SH	Fairchild		tems
SHM	DS	ULN	Spraque
SL	Plessey; GI; NSC	ULS	Spraque
мА	Fairchild	VF	DS
м РА	NEC	XR	Exar Integr. Systems
мPB	NEC	ZN	Ferranti
мРС	NEC	ZSS	Ferranti
мPD	NEC	ZST	Ferranti

style='font-size:16.0pt'>РАЗДЕЛ ВТОРОЙ

style='font-size:16.0pt'> 

style='font-size:16.0pt'>АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

style='font-size:16.0pt'> 

style='font-size:16.0pt'>2.1. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ

Операционные усилители (ОУ) благодаря своей универсально­сти и возможности многофункционального использования нашли широкое применение в радиоаппаратуре. Они представляют собой специальные усилители постоянного тока. Операционные усилители делятся на усилители с одним входом (инверсным, например НА2530) или с двумя входами (инверсным и неинверсным), т.е. дифференциальные. По способу компенсации дрейфа нуля различают ОУ с параметрической компенсацией дрейфа (с непосредственными связями без преобразования сигнала); с преобразованием сигнала; автоматической коррекцией дрейфа нуля. В усилителях с непосред­ственными связями компенсация дрейфа нуля осуществляется путем построения входных каскадов по симметричной балансной или диф­ференциальной схеме. В усилителях с преобразованием сигнала для усиления постоянной составляющей используется усилитель типа МДМ (с модуляцией, усилением на несущей и последующей демо­дуляцией), например НА2905, АМ490 и др. Усилители с автомати­ческой коррекцией дрейфа нуля (с автокомпенсацией) подразделя­ются на усилители с периодической и непрерывной коррекцией дрейфа нуля. Последние включают два усилителя, работающие по­переменно: один обеспечивает усиление входного сигнала, другой осуществляет автоматическую подстройку нуля (например, ICL7600). Более широкое распространение получили ОУ без преобразования сигнала с входными каскадами по дифференциальной схеме, обла­дающие высокой помехозащищенностью по цепям питания. Кроме того, наличие неинверсного входа делает их более универсальными и расширяет их эксплуатационные возможности. Реализация широ­кой полосы пропускания достигается легче у усилителей с одним (несимметричным) входом. Усилители с преобразованием сигнала применяются в случаях, когда необходим минимальный дрейф нуля.


Однако быстродействие у них невысокое. Если усилители без пре образования сигнала не удовлетворяют требованиям в отношении дрейфа нуля, а применение усилителей типа МДМ нежелательно, могут использоваться усилители с автокомпенсацией (автокоррекци­ей) нуля, но они имеют также невысокое быстродействие. Обеспе­чение устойчивости ОУ при работе с обратной связью достигается с помощью цепей частотной коррекции как внешних, так и внутрен­них. Например, внутренняя частотная коррекция осуществляется созданием МОП-конденсатора емкостью 30 — 100 пФ, присоединенно­го к соответствующим точкам схемы.

Таблица 2.1. Операционные усилители

Тип

Uип, B

UCM, мВ

ДU см/ДТ, мкВ/°С

Iвх, НА

ДIвх, нА

1 <7

VUвых, В/мкс

Kос.сф,  дБ

Kвл.и.п- ДБ*; K вл.и.п- МКВ/В

Uш.н, нВ/VГц; Uш.эф, МКВ

Rвх, Ом

tуст, мкс

Iпотр, МА Рпотр, МВТ

f1, МГц

Тип корпуса

Дополни­тельные сведения

A109D AD504J

±18 ± (5 — 18)

<7,5 <2,5

<25 <5

<1500 <200

<500 <40

>15.103 >250 103

0,1

>65 >94

<200 40

8

>50-103 0,5-106

-

<200* <4

0,3

ТО-99 ТО-99

Малошумя­щий

AD504K AD504L AD504M

± (5-18) ± (5 — 18) ± (5-18)

<1,5 <0,5 <0,5

<3 <1 <0,5

<100 <80 <80

<15 <10 <10

>500-103 >106 > 106

0,12 0,12 0,12

>100 >110 >110

<25 <15 <15

8 8 <9

106 1.3-106 1,3 -10е

-

<3 <3 <3

0,3 0,3 0,3

ТО-99 ТО-99 ТО- 100

Быстродей- ствующий

AD505J AD505K AD507J AD507K AD509J AD509K

± (5 — 18) ± (5 — 18) ± (5 — 20) ± (5 — 20) ± (5 — 20) ± (5 — 20)

<5 <2,5 <5 <3 <10 <8

15 <15 15 15 20 <30

<75 <25 <25 <15 <250 <200

<25 <15 <50 <25

>100- 103 >200 103 >80 103 >100-103 >7,5.103 >10-10з

>120 >120 >20 >20 >80 >100

>74 >80 >74 >80

<S200 <100 <200 <100

10* 10* 12 12

2.10е 2-103 >40-106 >40.106 >40 10s >50-10в

0,8 0,8 0,9 0,9 0,2 <0,5

<в <8 <4 <4 <6 <6

10 10 35 35 20 20

ТО.100 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99

Широко­полосный Быстродей­ствующий >

AD512K

± (5 — 18)

<ёЗ

<20

<200

<50

>50-103

0,5

>80

<100

10е

<3,3

1

ТО-99

C внутренней компенсацией

AD517J

± (5-18)

<0,15

<3

<5

<1

106

0,1

>94

<40

20

2.10й

—

<4

0,25

ТО.99

Прецизион-ный С внутрен-

AD517K

± (5 — 18)

<0,05

<1

<2

<0,75

10е

0,1

>110

<15

20

2.1011

<3

0,25

ТО-99

ней компен­сацией

AD517L

± (5-18)

<0,025

<0,5

<1

<0,25

106

0,1

>110

<15

20

2.1011

<3

0,25

ТО-99

прецезисион- ный

AD517S AD518J

=t (5-22) ± (5 — 20)

<0,05 <10

<1 10

<2 <500

<0,75 <200

Ю1 >25-103

0,1 >50

>110 >65

<20 >70*

20

2-1011 >5-l05

0,8

<3 <10

0,25 12

ТО-99 ТО-99

С внутренней компенсацией Прецизионный Быстродейст­вующий, с

AD516K AD518S

+ (5 — 20) ± (5-20)

<4 <4

<10 <10

<200 <200

<50 <50

>50-103 >50 103

>50 >50

>70 >70

>80* >80*

—

>5.10s >5-105

0,8 0,8

<7 <7

>10 >10

ТО-99 ТО-99

внутренней компенсацией Прецизионный С внутренней

AD542J

± (5-18)

<2

<20

<0,05

<0,005

>50-103

3

>76

<200

30

1010

—

<1,5

1

ТО-99

компенсацией Прецизионный

AD542K AD542L AD542S AD544J AD544K AD544L ADX118

± (5-18) ± (5 — 18) ± (5 — 18) ± (5 — 18) ± (5 — 18) + (5-18) ±20

<1 <0,5 <1 <2 <1 <0,5 <10

<10 <5 <15 <20 <10 <5

<0,025 <0,025 <U, 025 <O.U5 <0,025 <0,025 <500

0,002 0,002 0,002 0,005 0,002 0,002 <200

>150-103 >150-103 >150-103 >30-103 >50-103 >50-103 >25 103

3 3 3 >5 >7,5 >10 >50

>80 >80 >80 >74 >80 >80 >70

<100 <100 <100 <200 <100 <100 >65*

30 30 30 18 18 18

10Ш 101 > 1010 1010 1010 1010 >5-105

3 3 3

<1,5 <1,5 <1,5 <2,5 <2,5 <2,5 <10

1 1 1 2 2 2 15

ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 CN1

BIFET > > Прецизионный > Быстродей­ствующий с внутренней

ADX218 ADX318 АМ405-2

±20 -4-20 ±15

<4 <4 <60

50

<250 <250 <0,02

<50 <50 <0,02

>50-Юз >50-10з >7,5-103

>50 >50 120

>80 >80 >70

>70* >70*

10*

>10в >103 1012

0,40

<8 <8 <8

15 15 20

CN1 CN1 ТО-99

компенсацией То же > Быстродей-

АМ406-2 АМ450-2 АМ452-2 АМ460-2 АМ462-1 АМ462-2 АМ464-2 АМ490-2А

±15 ±15 ±15 + 15 + 15 + 15 + (10-40) + (Г2-20)

<60 <8 <10 <5 <5 <5 <6 <0,02

50 20 30 10 15 15 15 <1

<0,02 <250 <250 <25 <25 <25 <30 <0,15

<0,02 <50 <50 <25 <25 <25 <30 <0,05

>8Э-103 25-103 >7,5-103 150 103 >80-1С3 >80-103 100- 103 500 19е

35 30 120 7 35 35 5 2,5

>70 90 >74 100 >74 >74 74 >120

-

10* 2 2 2 33*

1012 50-106 >110-106 300 106 >40-106 >40-106 200.106 100.106

0,33 0,2 1,0 1 1

<6 4 <6 3 <4 <4 <4,5 <5

100 12 20 12 100 100 4 3

ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-116 ТО-99 ТО-99 ТО-99

ствующий >  >  Uвых=±35В Прецизионный

АМ490-2В

+ (12 — 20)

<0,02

<о,з

<0,15

<0,05

500.10й

2,5

>120

—

—

100- 106

—

<5

3

ТО-99

типа МДМ То же

АМ490-2С

±(12 — 20)

<0,02

<0,1

<0, 15

<0,05

500 -10е

2 Б

>120

—

-

100.10е

-

<5

3

ТО-99

Прецизионный

B109D

±18

<5

<25

<500

<200

>25-103

>70

<150

—

>150-103

—

<150*

.

ТО-99

типа МДМ

С А 108 СА108А

±<2-20> + (2 — 20)

<2 <0,5

<15 <5

<2 <2

<0,2 <0,2

>50-103 >80 103

—

>85 >96

>80* >96*

—

>3о 10е >30-10|*

—

<0,6 <0,6

—

ТО-99 ТО-90

Прецизионный £

СА208 СА208А

±(2 — 20) ±(2 — 20)

<2 <0,5

<15 <5

<2 <2

<0,2 <0,2

>50 10з >80 10з

—

>85 >96

>80* >96*

—

>30-10< >30.106

—

<0,6 <0,6

—

ТО-99 ТО-99

>  э

СА308

±(2 — 18)

<7,5

<30

<7

<1,0

>25 10>

—

>80

>80*

—

>10-10а

—

<0,8

—

ТО-99

у

СА308А СА741

±(2-18) 44

<0,5 <5

<5 2

<7 <500

<1,0 <200

>80-108 >50-103

0,5

>96 >70

>96* <150

—

>10-106 >0,3-106

—

<0,8 <2,8

1

ТО-99 ТО-99

> С внутренней

СА741С СА3078 СА3078А СА3100

36 ±(1,4 — 14) ±(0,75 — 18 ±(7 — 18)

<6 <4,5 <3,5 <5

2 6 5 10

<500 <170 <12 <2000

<200 <32 <2,5 <400

>20 103 >25-103 >40-103 >40-103

0,5 25

>70 >80 >80 >76

<150 93 105 >60*

8*

>0,3.106 30- 103

0,6

<2,8 <0,130 <0,025 <10,5

1 0,8 0,2 38

ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией То же Микромощный То же

СА3130

5 — 16

<15

10

<0,05

<0,03

>50-Ю3

30

>70

<320

23

>3-1011

1,2

<15

15

ТО-99

—

СА3130А

5-16

<5

10

<0,03

<0,02

>50-103

10

>80

<150

23

1,5-1012

1,2

<15

15

ТО-99

—

СА3130В

5-16

<2

<15

<0,02

<0,01

>100-103

10

>86

<5100

23

>3-1011

1.2

<15

15

ТО-99

—

СА3140

±(2-18)

<15

20

<0,05

<0,03

>20-103

9

>70

<320

40

>3-1011

1,4

<6

4,5

ТО-99

—

СА3140А

4 — 36

<5

6

<0,04

<0,02

>20 103

9

>70

<320

—

>3.1011

1,4

<6

4,5

ТО-99

—

СА3140В

4 — 44

<2

5

<0,03

<0,01

>50-103

9

>86

<50

—

1,5-1012

1,4

<6

4,5

ТО-99

—

СА3160

5 — 16

<15

8

<0,05

<0,03

>50-103

10

>70

—

—

1.5-1012

—

<15

4

ТО-99

—

СА3160А

5 — 16

<5

8

<0,03

<0,02

>50-103

10

>80

—

—

1,5-1012

—

<15

4

ТО-99

—

СА3160В

5 — 16

<2

<15

<0,02

<0,01

>100-103

10

>86

—

—

1,5-1012

—

<15

4

ТО-99

—

СА6078А

±(0,75-18

<3,5

6

<12

<2,5

>40 103

>80

—

—

—

—

<0,025

—

ТО-99

—

НА909

±(5 — 20)

<5

—

<300

<150

>25 103

>3,5

>80

>80*

<5*

>200-103

—

<2,5

7

ТО-99

—

НА911

±(5 — 20)

<6

—

<500

<300

>20-103

5

>74

>74*

1

> 100 -103

—

<2,5

7

ТО-99

—

НА1301

±10

<5

—

<12000

<5000

>ЫОз

>70

—

—

—

—

<30*

—

ТО-101

—

НА 1303

±18

<4,5

5

<1500

<450

>10-103

—

>80

—

—

50-103

—

<125*

—

ТО- 101

—

НА17741М

±18

<6

—

<500

<200

>20-10>

0,5

>70

—

—

300- 103

—

<100*

—

ТО-99

—

НА2050

35

<25

—

<0,02

<0,02

>7,5-103

120

>74

>74*

—

1012

0,4

<8

20

ТО-99

Быстродей-

НА2050А

35

<14

—

<0,02

<0,02

>7,5.10>

120

>74

>74*

—

1012

0,4

<8

20

ТО-99

ствующий То же

НА2055

35

<60

—

<0,02

<0,02

>7, 5-Ю3

120

>70

>70*

—

1012

0,4

<8

20

ТО-99

НА2055А

35

<14

—

<0,02

<0,02

>7,5-103

120

>70

>70*

—

1012

0,4

<8

20

ТО-99

НА2060

35

<25

—

<0,02

<0,02

>80-103

35

>74

>74*

—

1012

—

<6

100

ТО-99

Широко­полосный

НА2060А

35

<12

—

<0,02

<0,02

>80 103

35

>74

>74*

—

1012

—

<6

100

ТО-99

>

НА2065

35

<60

—

<0,02

<0,02

>80-103

35

>70

>70*

—

1012

—

<6

100

ТО-99

HA206SA

35

<12

—

<0,02

<0,02

>80-103

35

>70

>70*

—

1012

—

<6

100

ТО-99

>

НА2101

±22

<5

6

<500

<200

>50-103

>70

>70*

—

>300 103

~~

<3

—

ТО-99

Средней

НА2101А

+22

<2

<15

<75

<10

>50- 103

>80

>80*

—

>1,5-106

—

<3

—

ТО-99

точности

НА2107

±22

<2

<15

<75

<10

>50 103

—

>80

>80*

—

>1,5.10в

~

<3

~

ТО-99

С внутренней компенсацией

НА2107-3

+ (5-20)

<5

6

<500

<200

>50-103

—

>70

>70*

—

>300-10е

—

<3

—

ТО-99

То же

НА2201А

±22

<2

<15

<75

<10

>50 103

—

>80

>80*

—

>1, 5-106

—

<3

—

ТО-99

>

НА2207

±22

<2

<15

<75

<10

>50-103

, —

>80

>80*

—

>1,5.10°

—

<3

—

ТО-99

>

НА2500

40

<5

20

<200

<25

>20-103

>25

>80

>80*

—

>25-10в

0,33

<6

12

1О-99

>

НА2502

40

<8

20

<250

<50

>15-103

>20

>74

>74*

—

>20-10в

0,33

<6

12

ТО-99

>

НА2505

40

<8

20

<250

<50

>15.10Э

>20

>74

>74*

-

>20 10е

0,33

<6

12

ТО-99

>

НА2510

40

<8

20

<200

<25

>10-Ю3

>50

>80

>80*

—

>50 10е

0,25

<6

12

ТО-99

>

НА2512

40

<10

25

<250

<50

>7,5-103

>40

>74

>74*

—

>40-106

0,25

<6

12

ТО-99

НА2515

40

<10

30

<250

<50

>7,5.103

>40

>74

>74*

—

>40-10в

0,25

<6

12

ТО-99

>

НА2520

40

<8

20

<200

<25

>10-103

>100

>80

>80*

—

>50-10в

0,2

<6

20

ТО-99

Быстродей­ствующий

НА2522

40

<10

25

<250

<50

>7,5-103

>80

>74

>74*

—

>40.10 в

0,2

<6

20

ТО-99

НА2525

40

<10

30

<250 !

<50

>7,5-103

>80

>74

>74*

>40.10 в

0,2

<6

20

ТО-99

>

НА2530

40

<3

5

<100

<20

>103

>280

>86

>86*

-

2-106

0,5

<£6

70

TO-99

Широкопо­лосный инвер-

НА2535 НА2-2600

40 45

<5 <4

5 5

<200 <10

<20 <10

>105 >103

>250 >4

>80 >80

>80* >80*

—

2.106 > 100- 106

0,5 1,5

<6 <3,7

70 12

TO-99 TO-99

тирующий To же С внутренней

HA2-2G02 НА2-2605 НА2-2620

45 45 45

<5 <5 <4

—

<25 <25 <15

<25 <25 <15

>80-103 >80-103 >10

>4 >4 >25

>74 >74 >80

>74* >74* >80*

—

>40-106 >40-106 >65-106

1,5 1.5

<4 <4 <3,7

12 12 100

TO -99 TO-99 TO-99

компенсацией То же > Широкопо-

НА2-2622 НА2-2625 НА2-2640 НА2-2645 НА2-2700

45 45 ±(10—40) ±(10—40) ±(5,5—20)

<5 <5 <4 <6 <3

15 15

<25 <25 <25 <30 <20

<25 <25 <12 <30 <10

t80-103 >80 • 103 >103 >№ >400 • 103

>20 >20 5 5 >10

>74 >74 >80 >74 >86

>74* >74* >80* >74* >86*

— — — — —

b.40.106 >40.106 >50-106 >40.106

E

<4 <4 <3,8 <4,5 <0,15

100 100 4 4 1

TO-99 TO-116 TO-99 TO-99 TO-90

лосный > Микромощный с внутренней

НА1-2704 HA1-2705 HA2-2900

±(5,5—20) + (5,5—20) ±(12—20)

<3 <5 0,02

<0,6

<20 <40 0,15

<10 <15 • 0,05

>400-103 >200-1(F 500 -106

>10 >10 2,5

>86 >80 >120

>86* >80* >120*

— — —

100.106

—

<0,15 <0,15 <5

1 1 3

TO-116 TO- 116 TO-99

компенсацией Микромощяый > Прецизионн ый

HA2-2904 HA2-2905 HA5100-2

±(10—20) ±(12—20) 40

0,02 0,02 <1

<0,4 0,2 5

0,15 0,15 <0,05

0.05 0,05 <0,01

500.10е 500-1 06 >75.10>

2,5 2,5 >6

>130 >120 86

>130* >120* 86*

— — —

100 -106 100 -106 1012

1,7

<5 <5 <7

3 3 18

TO-99 TO-99 TO-99

типа МДМ То же BIFET с ди-

HA5190

35

<5

20

<15 мкА

<4 мкА

>15-103

>160

>74

>70*

15

10.10s

0,07

<25

150

TO-8

электрической изоляцией Широкополос­ный бы стро -

ICL7600

±(2—18)

<0,005

<0,1

—

-

>40-103

1,8

88

—

<700

—

-

<5

1,2

-

действующий С внутренней

ICL7611A

±(0,65—8)

<2

10

<0,05

<0,03

>40-103

0,16

>76

>80*

100

1012

<

<0.25

44 кГц

-

компенсацией fком = 160 га С внутренней компенсацией, программи-

LH5T1 1Д41В1

±18 ±18

<7,5 <6

—  —

<1500 <500

<250 <200

>10-103 >20.103

>10 0,5

>74 >70

<400 <150

—

Ы06 >0,3.10°

0,3

<10 <85*

-

TO-100 TO-116

руемый С внутренней

L141T1 LH1T2 L148T1 L148T2 LF151A LF155 LF155A LF156 LF156A LF157 LF157A LF255

±18 ±22 + 18 +22 +22 + (5— 2i) + (5—22) + (5-22) + (5-22) + (5-22) + (5-22) + (5-22)

<6 <5 <6 <5 <2 <5 <2 <5 <2 <5 <2 <5

<20 <5 <5 <5 <5 <5 <5 <5

<500 <500 <500 <500 <0,2 <0,1 <0,05 <0,1 <0,05 <0,1 <0,05 <0,1

<200 <200 <200 <200 <0,1 <0,02 <0,01 <0,02 <0,01 <0,02 <0,01 <0,02

>20-103 >50 103 >50 103 >50 103 >50 103 >50 101 >50 10s >50-103 >50-103 >50-103 >50 • 103 >50-103

0,5 0,5 0,5 0,5 MO 5 >3 >7,5 >10 >30 >40 (K-5)

>70 >70 >70 >80 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85

<150 <150 •cisa >80* >85* >85* >85* >85* >85* >85*

20 20 20 12 12 12 12

>0, 3.10е >0,3.106 >0,3.10fi >0,3.10< 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012

2 4 4 1,5 1,5 1,5 1,5

<85* <85* <85* <85* <2,8 <4 <4 <7 <7 <7 <7

>3 2,5 2,5 5 4,5 20 >15

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

компенсацией То же BIFET-II B1FET BIFET BIFET BIFET BIFET BIFET

LF256 LF257 LF355

+ (5—22) + (5—22) ±(5—18)

<5 <5 <10

<5 <•5 5

<0,1 <0,1 <0,2

<0,02 <0,02 <0,05

>50-103 >50-103 >25 • 103

5 >7,5 30 (K-5)

>85 >85 >80

>85* >B5* >85*

20 12 12

1012 1012 1012

4 1,5 1,5

<4 <7 <7

2,5 5 20

TO-99 TO-99 TO-99

BIFET BIFET BIFET

LF355A LF355B LF356

+ (5-22) ±(5—22) + (5-16)

<2 <5 <10

<5 5 <5

<0,05 <0,1 <0, 2

<0,01 <0,02 <0,05

>50-103 >50-103 >25-103

>5 >3 >5 12

>85 >8S >80

>80* >85* >85* >80*

20 20 20 12

1012 1012 1012 1012

4 4 4 1,5

<4 <4 <4 <10

2,5 2,5 2,5 12

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

BIFET BIFET BIFET BIFET

LF356A LF356B LF357

+(5 — 22) ±(5-22) ±(5 — 18)

<2~ <5 <10

5 <5 5

<0,05 <0,1 <0,2

<0,01 <0,02 <0,05

>50-103 >50 103 >25 103

>10 >7.5 >50 (K=5)

>85 >85 >80

>85* >85 >80*

12 12 12

1012 1012 1012

1,5 1,5 1.5

<10 <7 <10

>4 >7,5 50

TO-99 TO-99 TO-99

BIFET BIFET BIFET

LF357A

±(5 — 2Э)

<2

<5

<0,05

<0.01

> 50- 103

>40 (K=5)

>85

>85*

12

1012

1,5

<10

>15

TO-99

BIFET

LF357B LF13741 LFT356 LM10

±(5 — 22) ±18 ±(5 — 18) 1.1 — 40

<5 <15 <0,5 <2

5 <10 3 2

<0,1 <0,2 <0,05 <20

<0,02 <0,05 <0,01 <0,7

>50.103 >25 . 103 >50.103 > 120- 103

>30 >0,5 12

>85 >70 95 >93

>85* >77* 100*

12 37 12

1012 5.1011 1C12

1,5

<7 <4 <7 <0.4

>30 1 4

TO-99 TO-99 TO-99

BIFET BIFET- II Прецизионный

LM101

±(5-20)

<5

6

<500

<200

>50 103

0.5

>70

>70*

—

>0,3-106

—

<3

1

TO-99

LM101A

±22

<2

<15

<75

<10

>50 103

0,5

>80

>80*

—

>1,5.106

—

<3

1

TO-99

LM107H

±22

<2

<15

<75

<10

>50-103

0,5

>80

>80*

—

>1,5.106

—

<2,5

1

CN1

С внутренней к ом пенс я Цне и

LM108AH LM108H LM112H LM118H

±(2 — 20) ±(2 — 20) ±(2 — 20) ±(5-20)

<0,5 <2 <2 <4

<5 <15 <15

<2 <2 <2 <250

<0,2 <0,2 <0,2 <50

>80-103 >50 103 >50 103 >50.103

0.3 0,3 >50

>96 >85 >85 >80

:

>96* >80* >80* >70*

—  —  —  —

>30-106 >30.106 >30-106 >106

-

<0,6 0,3 <0,6 <8

1 1 15

CN1 CN1 CN1 CN1

Прецизион­ный С -внутренней

LM201AH LM201F

±22 ±(5-20)

<2 <7,5

<15 10

<75 <1500

<10 <500

>50.103 >20-103

0,5 0,5

>80 >65

>80* >70*

—  —

>1,5.106 >0,1.106

-

<3 <3

1 1

CN1 FP37

компенсацией

LM207H LM208AH

±22 + (2 — 20)

<2 <0,5

<15 <5

<75 <2

<10 <0.2

>50 103 >80-103

0,5 0,3

>80 >96

>80* >96*

>l,5.106 >30.106

— —

<2,5 <0,6

1 1

CN1 CN1

С внутренней компенсацией

LM208H

±(2 — 20)

<2

<15

<2

<0,2

>50 103

0,3

>85

>80*

—

>30.10!i

—

<0,6

1

CN1

LM212H

±(2-20)

<2

<15

<2

<0,2

>50.10>

>85

>80*

—

>30-103

—

<0,6

CN1

LM216AH

+ (3 — 20)

3

—

0,05

0.015

40- 10s

—

>80

>80*

—

5-109

—

0,6

—

CN1

С внутренней

LM216H

±<3 — 2o>

10

— —

0,15

0,05

20-10>

>80

>80*

.

109

—

0,8

CN1

компенсацией Тл -yp-rt

LM216H

±(5-20)

<4

, —

<250

<50

>50-103

>50

>80

>70*

—

>10 6

—

<8

15

CN1

i о же

LM301A

±22

<7,5

<30

<250

<50

>25 . 103

0,5

>70

>70*

— —

>0,5.10B

—

>3

1

CN1

*

LM307

±13

<7,5

<30

<250

<50

>25.103

0,5

>70

>70*

—

>0,5 1015

—

<3

1

CN1

С внутренней

LM308AH

±18

<0,5

<5

<7

<1

>80-103

0,3

>96

>96C

.

>10.1015

—

<0,8

1

CN1

компенсацией

LM308H

±(2-15)

<7,5

<30

<7

<1

>50 . 103

0.3

>80

>80*

—

>10-103

—

<0,8

1

CN1

LM312H

±(2-20)

<7,5

<30

<7

<1

>25 . 103

>80

>80*

—

>10.105

—

<0,8

CN1

ЦМ316

±(3 — 20)

10

—

0,15

0,05

20.103

—

>80

>80*

—

ЫО>

—

0,8

—

CN1

С внутренней

LM316A LM318

+ (3 — 20) ±(5 — 20)

3 <10

-

0,05 <500

0,015 <200

40 -103 >25 103

>50

>80 >70

>80* >65*

-

5.10> >0,5-10Й

-

0,6 <10

15

ONI CN1

компенсацией То же

LM709H

±18

<5

6

<500

<200

>25.103

0,25

>70

<150

—

>150-103

- —

<5,5

CN1

*

LM709AH

±18

<2

<15

<200

<50

>25.103

0,25

>80

<100

—

>350.10S

—

<3,6

—

CN1

LM709CH

±18

<7,5

12

<1500

<500

>15.103

0.25

>65

<200

—

>50-103

—

<6,6

—

CN1

LM725H

±(3 — 22)

<1

<2

<100

<20

>106

>110

f

<10

8

1.5-106

—

<105*

—

CN1

LM725AH

±(3 — 22)

<0,5

<5

<80

<5

>106

—

>120

<5

8

1,5.10B

—

<105*

—

CN1

LM725CH

+ (3 — 22)

<2,5

2

<125

<35

>250-103

—

>94

|

<35

8

1.5- 10*

—

<150*

—

CN1

LM741H

+ (3 — 22)

<5

5

<500

<200

>50-103

—

>70

i

>77*

0,3.10s

—

<2,8

—

CN1

LM741CH

+ 18

<6

, —

<500

<200

>25-103

.

>70

i

>77*

—

0,3.10е

—

<2,8

—

CN1

LM748H

±(5 — 20)

<5

6

<500

<200

>50-103

—

>70

?

>77*

—

>0, 3.10s

—

<2,8

—

CN1

С внутренней

LM748CH

+ (5 — 20)

<5

6

<500

<200

>50-103

>70

i

>77*

.. „

>0,3.108

<2,8

CN1

<омпенсацией

LM4250H

±(1-18)

<5

—

<50

<10

>50-103

—

>70

i

>76*

—

—

<0,09

—

CN1

Программи-

LM4250CH M5133P

±(1-18) ±14

<6 <7,5

—

<75 <350

<20 <35

>25.103 >15.10>

-

>70 >84

i

>74*

-

>150-103

-

<0,09

-

CN1 TO-116

руемый То же

M5141T

+22

<5

<500

<200

>50-10>

>70

>300-103

TO-99

С внутренней компенсацией

М51709Т МАА501 МАА502 МАА503 МАА504 МАА725 МАА725В МАА725С МАА725Н MAA725J МАА725К МАА741 MAA741G МАА748 МАА748С MC1420F MCI 430 MC1431 MC1433 MC1436U MC1436CU MC1439L MC1456L MC1456CL MC1520F MC1530F MC1531F MC1533 MC1536 MC1539L MC1556L MC1709F MC1709AF MC1709CL МС17Г2А MC1712CL MC1741L MC1741C MC1741NL MC1741NC MC1741S MC1741SG MC1748Q MC1748CG MC17763 MC1776CQ MC3476Q

±18 +18 ±18 ±18 ±18 ±(3*22) ±(3 — 22) ±(3 — 22) ±(3 — 15) ±(3-15) ±(3 — 15) ±(3-22) ±(3-18) ±(3 — 22) +(3 — 18) ±8 ±8 ±8 ±18 ±(5 — 34) ±30 ±18 ±18 +18 ±8 ±9 ±9 +20 ±40 ±(4-18) +22 ±(3 — 18) ±(3-18) + (3 — 18) +14-4- — 7 +14-J — 7 ±(3-22) ±(3-18) +22 +18 ±22 ±18 ±(3-22) ±(3 — 18) ±(1,2 — 18) ±(1,2 — 18) ±(6 — 18)

<7,5 <6 <3 <7,5 <57,5 <1 <1,5 <2,5 <1 <1,5 <2.5 <5 <6 <5 <6 <15 <10 <15 <7,5 <10 <12 <7,5 <10 <12 <10 <5 <10 <5 <5 <3 <4 <5 <2 <7,5 <2 <5 <5 <6 <5 <6 <5 <6 <5 <6 <5 <6 <6

6 <15 <5 <10 4 >5 <10 4 10 10 2 10 ~5 *2 8 5 6 <-25 <S310 <20 15 15 15 15 15

<1500 <1500 <600 <1500 <1500 <100 <100 <125 <100 <100 <125 <500 <500 <500 <500 <4000 <15 000 <300 2000 <40 <90 <1000 <30 <90 <2000 <10 000 <150 <1000 <20 <500 <15 <500 <200 <1500 <5000 <7500 <500 <500 <500 <500 <500 <500 <-500 <500 <7.5 <10 C50

<500 <500 <250 <20 <20 <35 <20 <20 <35 <200 <200 <200 <200 <200 <4000 <100 <500 <10 <25 <150 <10 <30 <100 <2000 <25 <150 <3 <75 <2 <200 <50 <500 <500 <2000 <200 <200 <200 <200 <200 <200 <200 <200 <3 <6 <25

>15.103 >25 103 >25 103 >15-103 >15-103 >106 >0,5.105 >2,5.106 >106 >0.5.106 >2,5.105 >50 103 >20-103 >50 103 >20-103 >750 >3000 >1500 >30-103 >70-103 >50.108 >15-103 >70 103 >25 103 >1000 >4500 >2500 >40-10> >ШЫ03 >50-103 > 100- 10s >25.103 >25-103 >12.103 >2000 >2000 >50-103 >20 . 103 >50-103 >20.103 >50.103 >20.103 >50-103 >20 103 >50 10s >25.10< >50 . 10>

0,5 0,5 0,5 0,5 5 1.7 1,4 2 2 2 4,2 2,5 2,5 5 1,7 1.4 2 2 4,2 2,5 0,3 0.5 0,3 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 >10 >10 0,8 0,8 0,03 0,03 0,8

>65 >70 >80 >65 >65 >110 >100 >94 >110 >100 >94 >70 >70 >70 >7Q >60 >65 >60 >80 >70 >50 >80 >70 110 >75 >70 >65 >90 >80 >80 >80 >70 >80 >65 >80 >70 >70 >70 >70 >70 >70 >70 >70 >70 >70 >70 >70

|  — i

<150 <100 <200 <200 <10 <10 <35 <10 <10 <35 <150 <150 <150 <150 250 100 100 <200 <200 50 <200 <200 75 <450 100 100 <150 <100 <150 <100 <150 <100 <200 <200 <300 <150 <150 <150 <150 <150 <150 <150 <150 <150 <-200 <200

1* 1* 1 1* 1* 1* 11* 10* 20* 50 50 30 45 45 11* 10* 20* 50 30 45 20 20

>50 10a >40 103 >85.10Э >50-10Я >50 . 103 1,5- 106 1.5.106 1,5.106 1,5.106 1,5.106 1,5.106 >0,3.106 >0,3.10б >0, 3.106 >0,3-106 2.106 >5.103 >300.103 >300.103 250.10е 250 10е >100.103 250. 106 250.106 >0,5.103 >10-103 >106 >500-106 250- 106 >150-103 250-1 01 >150-103 >350-103 >50-10Э >16-10э >10-103 >0,3-106 >3-103 >0,3-106 >0,3-10-9 >0.3-10е >0,3-10e >0,3-106 >0,3-106 50.10е 50- 10е 5-10>

3 3

<135* <200* <200* <105* <120* <150* <105* <120* <150* <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 <240* <150* <150* <240* <5 <5 Сб.7 <3 <4 <240* <150* <150* <170* <4 <5 <1,5 <165* <108* <200* <6,7 <6,7 <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 <85* <85* <85* <85* <0,02 <0,02 <0,2

10 >1 0.4 1 1 1 1 10 >1 0,4 1 2 1 1 1 1 7 7 1 1 1 1 1 1

ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО.99 ТО-99 CN1 CN1 CN1 CN1 ТО-91 ТО-91 ТО.91 ТО-91 ТО-99 ТО-99 ТО-116 ТО- 116 ТО-116 ТО-91 ТО-91 ТО-91 ТО-91 ТО-99 ТО-116 ТО-116 ТО-91 ТО-91 ТО-116 ТО-116 ТО-116 ТО-116 ТО-116 4-8 4-8 CN1 CN1 ТО-99 ТО-99 CN1 CN1 ТО-99

1 — — — — — — — — С внутренней компенсацией То же С внутренней компенсацией То же С внутренней компенсацией С внутренней компенсацией С внутренней компенсацией То же >  Программи­руемый То же

MC34001AG

±18

<2

10

<0,1

<0,050

>50-103

13

>80

>80*

16

1012

-

<2,3

4

ТО-99

С внутренней компенсацией

MC34001BG

±18

<5

10

<0.2

<0,1

>50-103

13

>80

>80*

16

1012

—

<2,5

4

ТО-99

То же

MC34001G

±18

<10

10

<0,2

<0,1

>25-10<>

, —

>70

>70*

16

1012

—

<2,7

4

ТО-99

>

MC35001AG

+22

<2

10

<0,075

<0,025

>50.103

13

>80

>80*

16

1012

—

<2,5

4

ТО-99

>

MC3S001BG

-t-22

<5

10

<0,1

<0,050

>50-10ч

13

>80

>80*

16

1012

—

<2,5

4

ТО-99

>

MLM101AG

±(3 — 22)

<2

10

<75

<10

i-50-103

0,5

>80

>80*

0,6-106

—

—

1

CN1

—

MLM107G

±(3 — 22)

<2

10

<75

<10

>50-10>

0,5

>80

>80*

—

0,6-106

—

—

0,8

ТО-99

С внутренней компенсацией

MLM108G

±(3 — 20)

<2

3

<2

<0,2

>50-10>

0,3

>85

>80*

—

30-106

—

—

1

ТО-99

—

MLM108AG

±(3 — 20)

<0,5

1

<2

<0,2

>80-10>

0,3

>96

>96*

—

30-106

—

—

1

ТО-99

—

MLM201AG

+ (3 — 18)

<2

10

<75

<10

>50-10>

0,5

>80

>80*

—

1,5-106

—

<3

1

CN1

—

MLM207G

+ (3-18)

<2

10

<75

<10

>50-10>

0,5

>80

>80*

—

1,5- 10е

—

<3

1

ТО-99

С внутренней компенсацией

MLM208G

±(3 — 18)

<2

3

<2

<0,2

>50-10>

0,3

>85

>80*

—

30-106

—

<0,6

1

ТО-99

—

MLM208AG

±(3 — 22)

<0,5

1

<2

<0,2

>80-10>

0,3

>96

>96*

—

30-106

—

<0,6

1

ТО-99

—

MLM301AG

+ (3 — 18)

<7,5

10

<250

<50

>25-10>

0.5

>70

>70*

—

>0,5-106

—

—

1

CN1

—

MLM307G

±(3-18)

<7,5

10

<250

<50

>25.10>

0.5

>70

>70*

—

>0,5-106

—

—

1

ТО-99

С внутренней компенсацией

MLM308G

±(3-18)

<7,5

15

<7

<1

>25-10з

0.3

>80

>80*

—

>10-106

—

—

1

ТО-99

—

MLM308AG

+ (3 — 18)

<0.5

6

<7

<1

>80-10>

0,3

>96

>96*

— —

> 10 -10е

—

— —

1

ТО-99

—

NE530T

±18

<5

5

<450

<40

>50-103

>12

>70

<150

—

>ЫО>

0,9

<3

3

ТО-99

С внутренней компенсацией

NE531T

+22

<6

—

<1500

<200

>20-10>

30

>70

<150

—

20 -10я

2,5

<10

1

CN1

—

NE535T

±18

<5

6

<150

<40

>50-103

>10

>70

<150

—

>1-10*

3

<2,8

1

CN1

С внутренней компенсацией

NE536T

±(6 — 18)

<90

30

<0,1

0,005

>50-103

6

>64

<300

—

10й

—

<8

1

CN1

То же

NE538T

±18

<5

6

<150

<40

>50-10?

60

>70

<150

—

>1-10а

1,2

<3

6

CN1

>

NE5534T

±22

<4

—

<1500

<300

>25-10а

13

>70

<100

4

>30-103

—

<8

10

CN1

>

NE5534AT

±22

<4

—

<1500

<300

>25-10э

13

>70

<100

<4,5

>30-103

—

<8

10

CN1

>

OP-01J

±22

<0,7

<8

<30

<2

>50-10>

18

>90

>90*

—

—

<1

<60*

2,5

ТО-99

>

OP-01CJ

±20

<5

<20

<100

<20

>25-103

18

>80

>80*

—

—

<1

<90*

2,5

ТО-99

>

OP-01EJ

±22

<2

<10

<50

<5

>50-103

18

>80

>80*

—

—

<1

<90*

2,5

ТО-99

>

OP-01FJ

±22

<2

<10

<50

<5

>50.10S

18

>80

>30*

—

—

<1

<90*

2,5

ТО-99

>

OP-01GJ

±20

<5

<20

<100

<20

>25-103

18

>80

>80*

—

—

<1

<90*

2,5

ТО-99

>

OP-01HJ

±22

<0,7

<8

<30

<2

>50-103

18

>90

>90*

—

—

<1

<60*

2,5

ТО-99

>

OP-02J

±22

<2

<10

<50

<5

>50-103

>0,25

>90

>90*

21

>2,3-106

—

<90*

>0,8

ТО-99

>

OP-02AJ

±22

<0,5

<8

<30

<2

>100-103

>0,25

>90

>90*

21

>3,8-106

—

<60*

>0,8

ТО-99

>

OP-02CJ

±22

<2

<10

<50

<5

>50-103

>0,25

>90

>90*

21

>2,3-106

—

<90*

>0,8

ТО-99

>

OP-02EJ

±22

<0,5

<8

<30

<2

>100-10<

>0,25

>90

>90*

21

>3,8-106

—

<60*

>0,8

ТО-99

>

OP-05J

±22

<0,5

<2

<з

<2,8

>200-10г

0,17

>110

>94*

<11

>20-106

—

<120*

0,6

ТО-99

Прецизионный с внутренней компенсацией

OP-05AJ

±22

<0,15

<0.9

<±2

<2

>300-103

0,17

>110

>94*

<11

>30-103

—

<120*

0,6

ТО-99

То же

OP-05CJ

±22

<1,3

<4,5

<±7

<6

>120-103

0,17

>97

>86*

<11,5

>8-106

—

<150*

0,6

ТО-99

>

OP-05EJ

±22

<0,5

<2 ;

<±4

<3.8

>200-103

0,17

>107

>90*

<11

>15-106

—

<120*

0,6

ТО-99

>

OP-07J

±(3-18)

<0,075

<1.31

<±3

<2,8

>200-10Я

0,17

>110

>100*

<11

>20-10Г)

—

< 120*

0,6

ТО-99

Прецизионный

OP -07 A J

±C — 18)

<0,025

<0,6

<±2

<2

>300-103

0,17

>110

>100*

<11

>30 106

-

<120*

0,6

TO-99

Прецизион­ный

OP-07CJ OP-07DJ OP-07EJ OP-08AJ OP-08BJ OP-08CJ OP-08EJ OP-08FJ OP-08GJ OP-12AJ

±(3 — 18) ±(3 — 18) ±(3 — 18) +20 ±20 +20 + 18 ±18 + 18 ±20

<0,0150 <0,150 <0,075 <0,15 <0,3 <1 <0,15 <0,3 <1 <0,15

<1,8 <2,5 <1,3 <2,5 <3,5 <10 <2,5 <3,5 <10 <2,5

<±7 < + 12 <±4 <2 <2 <5 <2 <4 <5 <2

<6 <6 <3,8 <0,2 <0,2 <0,5 <0,2 <0,4 <0,5 <0,2

> 120 -10s >120-103 >200 . 103 >40-103 >40-103 >15-103 >25.103 >15-103 80. 103 >50- 103

0,17 0,17 0,17 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 0,12

>100 >94 >106 >104 >104 >84 >104 >102 >84 >104

>90* >90* >94* >104* >104* >84* >104* >102* >84* >104*

<11,5 <11,5 <11 20 20 20 20 20 20 20

>8-106 >7.106 >15-106 >26 106 >26-106 >10.106 >26 106 >13.106 >10.106 > 26 -106

-

<150* <150* <120* <18* <18* <24* <18* <18* <24* <18*

0,6 0,6 0,6 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8

TO -99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

>  > > > > > Прецизион­ный с внут­ренней компенса­цией

OP-12BJ OP-12CJ OP-12EJ OP-12FJ OP-12QJ OP-15A OP-15B OP-15C OP-15E OP-15F OP-15G OP-16A OP-16B OP-16C OP-16E OP-16F OP-16Q OP-17A OP-17B OP-17C OP-17E OP-17F OP-17G OP-20BJ

+20 +20 + 18 + 18 + 18 +22 ±22 ±18 +22 +22 ±18 +22 +22 ±18 +22 +22 + 18 +22 +22 + 18 +22 +22 + 18 + (1,5 — 15)

<0,3 <1 <0,15 <0,3 <1 <0,5 <1 <3 <0,5 <1 <3 <0,5 <1 <3 <0,5 <1 <3 <0,5 <1 <3 <0,5 <1 <3 <0,3

<3,5 <10 <2,5 <3,5 <10 <5 <10 <15 <5 <10 <15 <5 <10 <15 <5 <10 <15 <5 <10 <15 <5 <10 <15 1

<2 <5 <2 <4 <5 <0,05 <0,1 <0,2 <0,05 <0,1 <0,2 <0,05 <0,1 <0,2 <0,05 <0,1 <0,2 <0,05 <0,1 <0,2 <0,05 <0,1 <0,2 <20

<0,2 <0,5 <0,2 <0,4 <0,5 <0,01 <0,02 <0,05 <0,01 <0,02 <0,05 <0,01 <0,02 <0,05 <0,01 <0,02 <0,05 <0,01 <0,02 <0,05 <0,01 <0,02 <0,05 <l,5

>50-103 100 -10s >50.103 >30-103 100- 103 > 100 -103 >75-103 >50-108 >100-103 > 75- 103 >50- 1C3 >100-103 75 -103 50- 103 100.103 75. 103 50- 103 100- 103 75.10s >50 103 100-103 75. 103 50 103 >106

0,12 0,12 0,12 0,12 0,12 >10 >7,5 >5 >10 >7,5 >5 >18 >12 >9 >18 >12 >9 >45 >35 >25 >45 >35 >25 0,05

>104 >84 >104 >102 >84 >86 >86 >82 >86 >86 >82 >86 >86 >82 >86 >86 >82 >86 >86 >82 >86 >86 >82 110

>104* >84* >104* >102* >84* >86* >86* >82* >86* >85* >82* >86* >86* >82* >86* >86* >82* >86* >S6* >82* >86* >86* >82* 110*

20 20 20 20 20 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15

>26-106 >10.106 >26 106 >13-106 >10-106 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012

2,2 2,3 2,4 2,2 2,3 2,4 1,7 >1,7 1.8 1,7 1,7 1,8 1,5 1,5 1,6 1,5 1,5 1,6

<18* <24* <18* <18* <24* <4 <4 <5 <4 <4 <5 <7 <7 <8 <7 <7 <8 <7 <7 <8 <7 <7 <8 0,175*

0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 >4 >3,5 >3 >4 >3,5 >3 >6 >5,5 >5 >6 >5,5 >5 >20 >15 >n >20 >15 >11 0,1

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

То же > > Микромощ­ный

OP-20CJ OP-20FJ OP-20GJ OP-20HJ PM155J PM156J PM157J PM155AJ

+ (1,5 — 15) + (1,5 — 15) + (1,5 — 15) + (1,5 — 15) ±22 +22 + 22 +22

<0,6 <0,3 <0,6 <1 <5 <5 <5 <2

1,5 1 1,5 2,5 5 5 5 <5

<25 <20 <25 <30 <0,1 <0,1 <0,1 <0,05

<2,5 <1,5 <2,5 <4 <0,02 <0,02 <0,02 <:0,01

>800-103 >106 >800.103 >500 103 >50-103 >50 103 >50.10° >50.103

0,05 0,05 0,05 0,05 5 >7,5 >30 >3

110 110 110 110 >85 >85 >85 >85

110* 110* 110* 110* >85* >85* >85* >85*

20 12 12 20

1012 1012 1012 1012

4 1,5 1,5 4 (0,01 %)

0,175* 0,175* 0,175* 0,175* <4 <7 <7 <4

0,1 0,1 0,1 0,1 2,5 5 20 2,5

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

То же > > >

PM156AJ

±22

<2

<5

<0,05

<0,01

> 50 -10s

>10

>85

>85*

12

1012

1,5 (0,01 %>

<7

>4

TO-99

~

PM157AJ

±22

<2

<5

<0,05

<0,01

>50.HP

>40

>85

>35*

12

1012

1,5 (0,01 %)

<7

>15

TO-99

*~*

PM255J PM256J PM257J PM355J PM355AJ

±22 +22 +22 + 18 +22

<5 <5 <5 <10 <2

5 5 5 5 <5

<0,1 <0,1 <0,1 <0,2 <0,05

<0,02 <0,02 <0,02 <0,05 <0,01

>50-103 >50.103 >50-103 >25-103 >50-103

>5 >7,5 >30 5 >3

>85 >85 >85 >80 >85

>S5* >85* >85* >80* >85*

20 12 12 20 20

1012 1012 1012 1012 1012

4 1,5 1,5 4 4

<4 <7 <7 <4 <4

2,5 5 20 2,5 2,5

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

—

PM356J PM356AJ PM357J PM357AJ PM725J PM725CJ PM741J

±18 ±22 ±18 +22 ±22 +22 ±22

elO <2 <10 <2 <1 <2,5 <5

5 <5 5 <5 <5 2

<0,2 <0,05 <0,2 <0,05 <0,1 <0,125 <500

<0,05 <0,01 <0,05 <0,01 <0,02 <0.035 <200

s>25 10s >50.103 >25 103 >50 103 >1 106 >250 103 >50-103

12 >10 50 >40

>80 >85 >80 >85 >110 >94 >70

>80* >85* >80* >85* <10 <35 >77*

12 12 12 12 8 8

1012 1012 1012 1012 1,5.106 1.5.106 >0,3-106

1,5 1,5 1.5 1,5

<10 <7 <10 <7 <105* <150* <2,8

5 >4 20 >15

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

Прецизионный To же С внутренней компенсацией

PM741CJ SA709CN

-4-18 ±18

<6 <7,5

—

<500 <1500

<200 <500

>25 103 >15 103

—

>70 >65

>77* <200

=

>0, 3.106 >50 103

-

<2,8 <200*

-

TO-99 8-18

С внутренней компенсацией

SA741CT SE530T SE531T SE535T

±18 +22 +22 ±22

<6 <2 <5 <2

<15 <!5

<5ЭО <GO <500 <60

<200 <10 <200 <10

>20 103 >50-103 >50 - 103 >50-103

0,5 >18 >20 >10

>70 >70 >70 >70

<150 <150 <150 <150

—

>0,3-106 >3-103 20 . 106 >3- 106

0,9 2,5 3

<2,8 <3 <7 <2,8

1 3 1

TT-99 TT-99 CN1 CN1

То же > С внутренней компенсацией

SE538T SE5534T SE5534AT SFC2101A SFC2107M

+22 +22 +22 ±(5-20) ±(5-20)

<2 <2 <2 <2 <2

<15 <15 <15

<60 <800 <800 <75 <75

<10 <200 <200 <10 <10

>50-103 >50 103 50 . 103 160- 103 160 - 10s

>40 13 13 0,5 0,5

>70 >80 >80 70 80

<150 <50 <50

4 <4,5

>3-104 >50 10= >50-103 >l,5-10ft >1,5.10B

1,2

<3 <6,5 <6,5

6 10 10 2

TO-99 CN1 CN1 TO-99 TO-99

То же Малошумящий С внутренней компенсацией

SFC2108A SFC2118M SFC2201A SFC2207

+ (5 — 20) ±18 + (5 — 20) ±<5-20)

<0,5 <4 <5 <5

<5 £15 <15

<2 <250 <250 <250

<0,2 <50 <20 <20

>80-103 50 10= 160 -103 160- 10a

50 0,5 0,5

85 80 70 70

—

—

>30-10< >1 .10> >l,5.10e >l,5-10fi

-

—

2

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

С внутренней компенсацией

SFC2208 SFC2218M SFC2301A SFC2307

±(5 — 20) ±18 +(5 — 15) ±(5 — 20)

<2 <4 <7,5 <7,5

<15 <30 <30

<2 <250 <250 <250

<0,4 <50 <50 <50

>80a03 50.10> 160 103 160- 103

50 0,5 0,5

85 80 70 70

—

-

>30-105 >1-106 >500-103 >500-103

—

—

—

TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

С внутренней компенсацией

SFC2308 SFC2315DC SFC2318EC SFC2476C SFC2709AP SFC2741C

+ (5 — 15) +10 +18 +18 + (9 — 15) ±15

<7,5 <12 <10 <6 <2 <6

<30 6 <10

<7 <50 <500 <50 <200 <500

<1 <25 <200 <25 <50 <200

>80 Ш3 30 10s 25 . 103 400-103 45 . 103 100 103

30 0,25 0,5

80 84 70 110 70

-

-

>10-103 3 10е >500-103 >350-103 300 -10a

-

-

-

TO-99 6-4 TO-116 TO-99 TO-116 TO-99

С внутренней компенсацией

SFC2748C SFC2761C SFC2776C

±15 +18 ±(12—18)

<6 <7,5 <6

6 10

<500 <1500 <50

<200 <50 <25

150 10= 30- 10s >50 10я

0,5 90 0,8

70 80 >70

-

-

>300-103 200 -103 5 -10е

—

-

-

TO-99 С N44 TO-99

Программи­руемый

SFC2778C SFC2861PM SO 101 SGI 07

+ 18 + 10 ±(5-20) ±22

<6 <11 <5 <2

10 6 3 <15

<50 <1500 <500 <75

<25 <330 <200 <10

400 103 30 -103 >50-103 >50-103

0,16 30

70 80 >70 >80

>70* >80*

14

5-10B 200 103 >300-103 >1,5-106

—

<3 <3

—

TO-99 TO-91 TO-99 TO-99

С внутренней компенсацией

SG201 SG207

±(5-20) +22

<7,5 <2

6 <15

<1500 <75

<500 <10

>20-103 >50-103

—

>65 >80

>70* >80*

14

>150-103 > 1,5.106

—

<3 <3

-

TO-116 TO-99

С внутренней компен ся цией

SG307 SG741 SG741CJ SG748 SG748CJ SG1250 SG1660

+ 18 +22 ±18 +22 + 18 ±(1 — 18) ±18

<7,5 <5 <6 <5 <6 <3 <7,5

<39 4 <30

<250 <500 <500 <500 <500 <15 <15

<50 <200 <200 <200 <200 <5 <2

>25-103 >50-103 >20- 103 >50-103 >20-103 >100-103 >15-103

0,5 0,5 0,5 0,5 0,2 >0,1

>80 >70 >70 >10 >70 >70 >80

>80* <150 <150 <150 <150 <150 >80*

14 35

>0,5.106 >0,3.106 >0,3-106 >0,3.106 >0,3- 106 >3-106 >4- 106

—

<3 <2,8 <2,8 <2,8 <2,8 <1,20* <0,75

-

TO-116 TO-99 TO-116 TO-99 TO-116 TO-99 TO-99

То же >  Микромощный С внутренней компенсацией

SGI 760

±18

<7,5

<30

<15

<2

>15-103

>!>,!

>80

>80*

— .

>4-10;

—

<0,75

—

TO-116

То же

SG2250 SG3250T

±(1 — 18) ±(1-18)

<3 <6

4 6

<15 <30

<5 <5

>100-103 >75.103

0,2 0,2

>70 >70

<150 <150

35 (10 Гц 35

>3-10— >З-106

-

<1,2* <1,2*

-

ТО-99 ТО -99

С внутренней компенсацией

SL541A

— 4 ч- +15

<5

-

<25 мкА

-

>180

>100

—

>46*

(10 Гц

—

100 (1 %)

<21

100

ТО-5

SL541B

— 6+4-12

<5

—

<25 мкА

—

3-103

>100

-

>46*

—

—

100(1 %)

<21

100

ТО-5

—

SL701B SL701C SL702B SL702C SL748A SL748C SN52101AL SN52107L

±12 + 12 ±12 ±12 +22 + 18 +22 +22

<5 <20 <5 <20 <5 <6 <2 <2

<15 <15 <15 <15 <15 <15

<1000 <3000 <1000 <3000 <500 <800 <75 <75

<300 <1800 <300 <1800 <200 <300 <10 <10

3-103 3-103 1,2-Ю3 1,2. 1C3 160- 103 160- 103 >50-103 >50-103

-

>80 >60 >80 >60 >70 >70 >80 >80

>80* >80*

-

>100-103 >100-103 >100.103 >100- 103 >300. 1C3 >300-103 >1,5.10в >1,5.10В

-

12 12 12 12 2,8 2,8 <3 <3

0,5 0,5 0,5 0,5 1 1

CN11 CN11 CN11 CN11 CN11 CN11 ТО-99 ТО-99

С внутренней

SN52108JP SN52108AL SN52660L SN52702L SN52702AJP SN52709L SN52709AL SN52741L

±(5-20) ±<5-20) ±(5 -20) — 7 +4-14 — 7 + 4-14 + 18 +18 ±22

<2 <0,5 <3 <5 <2 <5 <2 <5 -

<15 <5 <25 10 <10 6 <25

<2 <2 <15 <10000 <5000 <500 <200 <500

<0,2 <0,2 <2 <2000 <500 <200 <50 <200

>50-103 >80-103 >25.10> >1400 >2500 45-103 45 10s >50-10=

1,7 1,7 0,5

>85 >96 >80 >70 >80 >70 >80 >70

>80* >96* >80* <300 75 <150 <100 <150

-

>30-10П >30-101! >4-10e >8.103 >16-103 >150-103 >350-103 >0,3-10б

-

<0,6 <0,6 <0,75 <6,7 <6,7 <5,5 <3,6 <2,8

-

8-10 ТО-99 ТО-99 ТО-99 8-10 ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией С внутренней

SN52748L SN52770L SN52771L

+22 ±22 ±22

<5 <4 <4

—

<500 <15 <15

<200 <2 <2

>50-103 >50-103 >50.1G3

0,5 2,5 2,5

>70 >80 >80

<150 <150 <150

40 40

>0, 3.10б 100-10б 100.10б

-

<2,8 <2 <2

1,3 1,3

ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией С внутренней

SN52777L SN72301AL SN72307L

+22 + 18 ±18

<2 <7,5 <7,5

<15 <30 <30

<25 <250 <250

<3 <50 <50

>50-103 >25-10s >25-103

0,5

>80 >70 >70

<100 >70* >70*

-

>2.10б >0,5-10б >0,5-10б

—

<2,8 <3 <3

-

ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией С внутренней

SN72308L SN72308AL SN72660L SN72702L SN72709L SN72741L

+ (5 — 18) + (5 — 18) ±(5 — 18) 4-14+ — 7 ±18 + 18

<7,5 <0,5 <4 <10 <7,5 <6

<30 5

<7 <7 <15 <15000 <1500 <500

<1 <1 <2 <5000 <500 C200

>25-103 >80-103 >25-103 >1000 >15-103 >20-103

1,7 0,5

>80 >96 >80 >65 >65 >70

>80* >96* >80* <300 <200 <150

-

>10.10б > 10. 10б >4- 106 >6-103 >50- 103 >0,3-10б

-

<0,8 <0,8 <0,75 <7 <200* <2,8

-

ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией С внутренней

SN72748L SN72770L SN72771L

±18 ±18 ±18

<6 <10 <10

—

<500 <30 <30

<200 <10 <10

>50-103 >35-103 >35 103

0,5 2,5 2,5

>70 >70 >70

<150 <200 <200

40 40

>0,3-10б 100- 10б 100-10б

-

<2,8 <4 <4

1,3 1,3

ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией С внутренней

SN72777L SSS725 SSS725A SSS725B SSS725C SSS725E SSS741

+22 +22 +22 ±22 +22 +22 ±22

<5 <0,5 <0,1 <0,75 <1,3 <0,5 <3

<30 <2 <0,8 <2,8 <4,5 <2

<100 <80 <70 <80 <110 <80 <100

<20 <5 <1 <5 <13 <5 <25

>25-103 >10° >106 >106 >106 >106 >25-103

0,5

>70 >120 >120 >110 >100 >120 >70

<150 <5 <2 <5 <10 <5 <150

<7,5 <7,5 <7,5 <7,5 <7,5

>ыоо >0,7-106 >0,8-10<! >0,7.10в >0,5-106 >0,7.10< >ыов

-

<3,3 <120* <105* <120* <150* <120* <85*

—

ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99

компенсацией Прецизионный То же > С внутренней

SSS741B SSS741C SSS741G SU536T TAA241 ТА А 521 TAA522

±22 + 18 +22 ±22 +21 ±18 ±18

<3 <6 <3 <20 <5 <7,5 <5

20 <20 10

<50 <100 <100 <0,03 <7500 <1500 <500

<5 <25 <25 0,005 <2000 <500 <200

>50-101) >25-103 >25 103 >50-103 >2-103 >15-103 45.103

6 >0,3 >0,3

>80 >70 >70 >70 >70 >65 >70

<100 <150 <150 <150 <300 <200 <200

20*

>2-10в > 1 103 >10б 1011 >10- 1C3 >50 103 > 150-1 03

-

<85* <85* <85* <5.5 <120* <200* <165*

1

ТО-99 ТО-99 ТО-99 CN1 ТО-99 ТО-78 ТО-99

компенсацией

ТАА861

±(2-10)

<510

6

<1000

<300

>5,6-103

9

>60

3,1*

200. Id3

<1,5

CN71

Iвых = 70 мА

ТАА861А

±<2 — 10)

<10

6

<1000

<300

>5,6-103

3

>60

—

3,1*

200 102

—

<1,5

—

6-5

Iвых = 70 мА

ТАА865

±(2 — 10)

<10

6

<elOOO

<300

>5,6.103

9

>75

— .

3,1*

200- 1C3

— —

<1,5

—

С N71

I =70 мА

ТАА865А

±(2-10)

<10

6

<1000

<300

>5,6-103

3

>75

—

3,1*

200- 1C3

—

<1,5

— —

6-5

Iвых = 70 мА

ТВА221

±(4-18)

<6

-

<500

<200

5>20-103

0,5

>70

<150

—

>0,3- 106

—

<85*

—

CN1

С внутренней

ТВА221В TBA221D

±(4-18) +20

<6 <4

5

<500 <150

<200 <50

>20 ID3 >30-103

0,5 0,6

>70 >75

<150 <100

20

>0,3-106 >0,6- 106

-

<85* <2 8

-

8-4 8-9

компенсацией

TBA221N ТВА222

+ 18 j--12

<.6 <5

—

<500 <500

<200 <200

>2(M03 >50-103

0,5 0,5

>70 >70

<150 <150

<0,8*

>0,3-106 >0,3-106

—

<85* <85*

. —

TO-99 CN1

С внутренней

ТСА520В

+ 11

<6

5

<100

<30

>25 103

50

>70

15

1

1

8-4

компенсацией

TCA520D

2 — 20

<6

5

<100

<30

>25 103

50

>70

15

1

1

8-9

ТСА680

+ (3 — 15)

<8

—

<100

<30

>30-103

>15

>70

<100

25

—

0,75

<6

6

TO-99

С внутренней

ТСА680В TCA680D

+ (3 — 15) + (3 — 15)

<8 <8

-

<100 <100

<30 <30

>30-103 >30.10!>

>15 >15

>70 >70

<100 <100

25 25

-

0,75 0,75

<6 <6

6 6

8-7 8-9

компенсацией То же

TDA0301D

36

<7,5

30

<250

<50

>25-103

—

>70

>70*

>0,5- 10°

<3

8-9

*

TDA0741D

+ 18

<6

—

<500

<200

>20-103

0,5

>70

<150

>0,3- 10°

<2,8

8-9

*

TDA0748D

+ 18

<6

—

<500

<200

>20-103

0,5

>70

<150

—

>0,3- 10(i

<2,8

—

8-9

TDA1034N

+ (3 — 20)

<4

—

<800

<200

>30-103

13

>80

<50

4,5

>30-103

—

<б! 5

10

TO-99

С внутренней

TDA1034B TDA1034D TDA4250

+ (3-20) + (3 — 20) + (1-18)

<4 <4 <4

—

<1500 <1500 <75

<300 <300 <25

>30-103 >30-103 >50-103

13 13 0,16

>80 >80 96

<50 <50 100*

4 4

>30-103 >30-103

. —

<6,5 <6,5 <0,03

10 10 0,25

8-16 8-9

компенсацией То же >

TDA4250B

±(1 — 18)

<6

—

<80

<20

>50-103

0,25

>70

>76*

—

—

<0,l

8-16

TDA4250C

±(1 — 18)

<6,5

—

<10

<8

>50 103

0,16

96

100*

<0,03

0,25

TDA4250D

+ (1 — 18)

<6

—

<80

<20

>50-103

0,25

>70

>76*

—

<0,1

8-9

TDB0118CM

+ 18

<10

—

<600

<200

200 Ю3

—

—

—

3-106

—

15

TO-99

С внутренней

TDB0148DP TDB0155CM

+18 ±18

<6 <10

-

<200 <0,2

<50 <0,05

160.10s 200- 103

-

—

-

-

-

-

-

-

TO-116 TO-99

компенсацией То же

TDB0156DP

+18

<10

—

<0,2

<0,05

200 103

—

—

—

—

—

—

TO-99

TDB0157CM

+18

<10

—

<0,2

<0,05

200 103

—

—

—

—

—

—

TO-99

TDB0791DP TDC0155CM

±18 +22

<6 <5

-

<500 <0,1

<200 <0,02

20 103 200- 103

-

-

—

—

>0,3-10fl

—

—

—

TO-116 TO-99

Iвых = А С внутренней

TDC0156CM

±22

<5

—

<0,1

<0,02

200 -103

—

—

—

—

—

—

—

TO-99

компенсацией То же

TDC0157CM

±22

<5

—

<0,1

<0,02

200 -103

—

—

—

—

—

—

—

TO-99

TDE0155CM

±22

<5

—

<0,2

<0,1

200- 102

—

—

—

—

—

—

—

TO-99

TDE0156CM

+22

<5

—

<0,1

<0,02

200 103

—

—

—

—

—

—

—

TO-99

TDE0157CM

+22

<5

—

<0,1

<0,02

200- 103

—

—

—

—

—

—

TO-S9

TL061C TL061AC

±(1,5-18) ±(1,5-18)

<15 <6

10 10

<0,4 <0,2

<0,2 <0,1

>3- 10s >4-103

3,5 3,5

>70 >80

>70* >80*

42 42

1012 1012

—

<0,25 <0,25

1 1

8-11 8-11

Малошумящий £

TL061BC

±(1,5-18)

<3

10

<0,2

<0,1

>4- 103

3,5

>80

>80*

42

1012

—

<0,25

1

8-11

XP = 0,01 %

TLOC61

±(1,2-18)

<6

10

<0,2

<0,1

>4-103

3,5

>80

>80*

42

1012

—

<0,25

1

Г Программи­руем ыГг с внутренней компен сяцией

TL066AC

+ (1,2-18)

<6

10

<0,2

<0,1

>4-103

3,5

>80

>80*

42

1012

<0,25

1

8-11

То же

TL066BC

+ (1,2 — 18)

<3

10

<0,2

<0,1

>4-103

3,5

>80

>80*

42

1012

<0,25

1

8-11

))

TL066C

+ (1,2 — 18)

<15

10

<0,4

<0,2

>3-103

3,5

>70

>70*

42

1012

<0 25

1

8-11

TL066M TL071C

+ (1,2 — 18) + (3,5 — 18)

<6 <W

10 10

<0,2 <0,2

<0,1 <0,05

>4-103 >25-103

3,5 13

>80 >70

>80* >70*

42 18

1012 1012

-

<0,25 <2,5

1 3

8-11 8-11

Кг = 0,01 %

TL071AC

+ 18

<6

10

<0,2

<0,05

>50-103

13

>80

>80*

18

1012

,

<2,5

3

8-11

Кг = 0,01 %

TL071BC

±18

<3

10

<0,2

<0,05

>50-103

13

>80

>80*

18

1012

<2,5

3

8-11

TL080AC

+ 18

<6

10

<0,2

<0,1

>50- 103

13

>80

>80*

23

1012

—

<2,8

3

8-11

—

TL080C

-t-18

<15

10

<0,4

<0,2

>25 103

13

>70

>70*

25

1012

<2,8

3

8-11

TL081C

-t-(3,5 — 18)

<15

10

<0,4

<0,2

>25 103

13

>70

>70*

25

10t2

—

<2,8

3

8-11

—

TL081AC

±(3,5 — 18)

<6

10

<0,2

<0,1

>50-103

13

>80

>80*

25

1012

—

<2,8

3

8-11

—

TL081BC

+ (3,5 — 18)

<3

10

<0,2

<0,1

> 50- 10s

13

>80

>80*

25

1012

—

<2,8

3

8-11

—

TL0871

±18

<0,5

10

<0,4

<0,1

>50-103

13

>80

>80*

18

1012

—

<2,8

3

С внутренней компенсацией

TL087C

+ 18

<0,5

10

<0,4

<0,1

>25-103

13

>70

>70*

18

1012

—

<2,8

3

8-11

—

TL087M

±18

<0,5

10

<0,4

<0,1

>50-103

13

>8Q

>80*

18

1012

—

<2,8

3

8-11

С внутренней компенсацией

TL0881

±18

<3

10

<0,4

<0,1

>50-103

13

>80

>80*

18

1012

—

<2,8

3

—

То же

TL088G

±18

<3

10

<0,4

<0,1

>25 103

13

>70

>70*

18

1012

—

<2,8

3

8-11

>

TL1709

±18

<5

6

<500

<200

>25.103

0,25

>70

<150

—

>150-103

—

<200*

—

TO-99

—

TL1709G

+ 18

<7,5

6

<1500

<500

>15-103

0,25

>65

<200

—

>50-103

—

<200*

—

TO-99

—

TL1741

±22

<5

6

<500

<200

>50 103

0,8

>70

<150

—

>0,3-106

—

<85*

TO-99

С внутренней компенсацией

TL1741C

+18

<6

6

<500

<200

>20-103

0,8

>70

<150

—

>0,3-106

—

<85*

—

TO-99

То же

нашим

±22

<5

6

<500

<200

>50-103

>70

>70*

—

>0,3-106

—

<2,5

—

CN1

—

ЦА101АН

±22

<2

<15

<75

<10

>50-103

—

>80

>80*

—

>1,5-106

—

<3

—

TO-99

—

ЦА107Н

±22

<2

<15

<75

<10

>50-103

—

>80

>80*

—

>1,5-106

—

<3

~

CN1

С внутренней коррекцией

ЦА108НМ

±20

<2

<15

<2

<0,2

>50-103

—

>85

>80*

—

>30-106

—

<0,6

—

CN1

—

ЦА108АН

+20

-<0,5

<5

<2

<0,2

>80-103

—

>96

>96*

—

>30-106

—

<0,6

—

CN1

—

ЦА201НС

±22

<7,5

10

<1500

<500

>20-103

—

>G5

>70*

—

>0,M06

—

<3

—

CN1

— .

ц,А201АНМ

±22

<2

<15

<75

<10

>50-103

—

>80

>80*

—

>1,5.106

—

<3

—

CN1

—

ДА207НМ

+22

<2

<15

<75

<10

>50-103

—

>80

>8G*

—

>1,5.106

—

<3

~

CN1

С внутренней коррекцией

ЦА208НМ

+20

<2

<15

<2

<0,2

>50-103

—

>85

>80*

—

>30- 106

—

<0,6

—

CN1

ЦА208АНМ

+20

<0,5

<5

<2

<0,2

>80-103

—

>96

>96*

—

>30-106

, —

<0,6

—

CN1

—

ЦА301АНС

+18

<7,5

<30

<250

<50

>25- 103

—

>70

>70*

—

>0,5-106

, —

<3

—

CN1

—

ЦА307НС

±18

67,5

<30

<250

<50

>25-103

—

>70

>70*

—

>0,5.10e

—

<3

CN1

С внутренней коррекцией

ЦА308Н

+ 18

<7,5

<30

<7

<1

>25 103

, —

>80

>80*

—

>10.106

—

<0,8

—

CN1

—

Ц.А308А

±18

<0,5

<5

<7

<1

>80-103

, —

>96

>96*

—

> 10 10е

— ,

<0,8

. —

14-31

—

M.A702HM

±21

<2

<10

<5000

<500

>2,5-10s

— —

>80

<200

— —

>16-1G3

—

<6,7

—

CN1

—

ЦА702НС

+21

<5

<20

<7500

<2000

>2 10s

—

>7Q

<300

—

>10- 103

—

<6,7

—

CN1

—

M-A709HM

±18

<5

6

<500

<200

>25 103

0,3

>70

<150

—

>150-1GS

—

—

1

CN1

—

ЦА709АНМ

+ 18

<2

<10

<200

<50

>25 103

—

>80

<100

—

>350-1G3

—

<3,6

—

CN1

—

ЦА709НС

±18

<7,5

<1500

<500

>15-103

0,3

>65

<200

—

>50-1G3

—

<165*

1

CN1

—

ЦЛ714

±(3 — 22)

<0,075

<1,3

<3

<2,8

>200-103

0,17

>110

>100*

<11

>20-106

—

<12G*

0,6

CN1

Измерительный

ЦА714С

+ (3 — 22)

CO, 15

<1,8

<6

<3,7

>120-103

0,17

>100

>90*

<11,5

>8-10>

. — ,

<150*

0,6

TO-99

То же

ДА714ЕНС

+ (3 — 22)

<0,075

<1,3

<3,8

<4

>200 103

0,17

>106

>94*

<11

> 15 -loo

—

<120*

0,6

CN1

л

ЦА714ШС

+ 18

<0,25

C3

<30

<20

>100-103

0,17

>100

>90*

9,8

>8-10<

—

<180*

0,6

CN1

—

ЦА715НМ

±18

<5

—

<750

<250

>15-103

>15

>74

<300

—

1 10r>

0,3

<7

—

TO-100

С внутренней коррекцией

Ц.А715НС

±18

<7,5

—

<1500

<250

>10-103

>10

>74

<400

—

106

0,3

<10

—

TO-100

—

M.A725HM

±(3 — 22)

<1

<5

<100

<20

>106

—

>110

<10

8

1,5-l06

<105*

—

CN1

—

ЦЛ725АНМ

+ (3 — 22)

<0,5

<2

<75

<5

> 1 10s

—

>120

<5

<7,5

1,5-106

—

<120*

—

CN1

—

ЦА725НС

+ (3 — 22)

<2,5

2

<125

<35

>250-103

—

>94

<35

8

1,5.106

—

<150*

—

CN1

—

M.A725EHC

+ (3-22)

<0,5

<2

<75

<5

>1-106

—

>120

<5

<7,5

l.5-l06

—

<150*

—

CN1

—

M-A740T

+22

<20

—

<0,2

<0,15

>50-103

6

>64

<300

—

1012

—

<5,2

3

CN1

—

ЦА740С

+22

<110

—

<2

<0,3

>20-103

6

>55

<500

—

1012

-

<8

1

TO-99

—

ЦА74ШМ

+22

<5

—

<500

<200

>50-103

0,5

>70

<150

—

>0,3.106

—

<2,8

1

CN1

С внутренней коррекцией

ЦА741АНМ

+22

<3

<15

<80

<30

> 50-103

>0,3

>80

<50

—

>l-106

„

<150*

>0,4

CN1

То же

ЦЛ741НС

+ 18

<6

—

<500

<200

>20 103

0,5

>70

<150

—

>0,3-10ti

— ,

<2,8

1

CN1

>

ДЛ741ЕНС

+22

<3

<15

<80

<30

>50- 103

>0.3

>80

<50

—

> ыов

-

<150*

>0,4

CN1

>

ЦА748НМ

+22

<5

—

<500

<200

>50-lu3

0,5

>-70

<150

—

>0,3-10fi

—

<85*

1

CN1

—

ЦА748НС

+22

<G

— —

<500

<200

>20 Ю3

0,5

>70

<150

—

>0,3-10<

—

<85*

1

CN1

—

цА759НМ

+ 18

<3

~

<150

<30

>50-103

0,6

>80

>80*

>0,25-106

<18

1

Iвыхм = 0,325 А

(л А759НС

±18

<G

-

<250

<50

>25 103

0,5

>70

>80*

-

>0,25-106

-

<18

1

-

Iвыхм = 0,325 A

ЦА776НМ

±18

<5

-

<50

<15

>100.103

0,8

>70

<150

—

5.106

—

<0,18

—

CN1

С внутренней коррекцией

ЦА776НС ЦА777 М.А777НС ЦА79ЩМ ЦА791КС

+ 18 +22 +22 +22 + 18

<6 <2 <5 <5 <6

<15 <30

<50 <25 <100 <500 <500

<25 <3 <20 <200 <200

>50-103 >50.103 >25 103 >50 103 >20.103

0,8 0,5 0,5

>70 >80 >70 >70 >70

<200 <100 <150 <150 <150

-

5.106 >2 106 >106 >0,3-106 >0,3-106

—

<0,19 <2,8 <2,8 <30 <30

-

CN1 CN1 CN1 CN24 CN24

To же Iвых до 1 А Iвых до 1 А

ЦА799НМ

3 — 36

<5

10

<100

<25

>50 103

0,6

>70

<150

—

>0, 3-106

—

<4

1

—

С внутренней коррекцией

ЦА799НС HAF155 UAF156 MAF157 M.AF155A ЦАР156А UAF157A ЦАР355 M.AF35G M.AF357 M.AF355A M.AF356A M-AF357A HAF771HC UAF771AHC HAF771BHC J1AF771LHC U110B ULN-2139D ULN-2151D ULN-2171D ULS-2139D ULS-2151D ULS-2171D

+ (1,5 — 18) +22 +22 +22 +22 +22 +22 ±18 ±18 + 18 +22 +22 +22 ±18 + 18 + 18 + 18 + (2 — 10) + 18 +20 +20 + 18 ±22 +22

<6 <5 <5 <5 <2 <2 <2 <10 <10 <10 <2 <2 <2 <10 <2 <5 <15 <7,5 <7,5 <5 <5 <3 <2 <2

10 5 5 5 Co <5 <5 5 5 5 <5 <5 <5 10 10 10 10 6

<250 <0,1 <0,1 <0,1 <0,05 <0,05 <0,05 <0,2 <0,2 <0,2 <0,05 <0,05 <0,05 <0,2 <0,1 <0,1 <0,2 <700 <1000 <250 <50 <500 <50 <15

<75 <0,02 <0,02 <£0,02 <0,01 <0,01 <0,01 <0,05 <0,05 <0,05 <0,01 <0,01 <0,01 <0,1 <0,05 <0,05 <0,1 <75 <100 <25 <20 <60 <5 <7

>20-103 >50.103 >50.10> >50-103 >50-103 >50-10J >50-10> >50-103 >50-103 >50.10->50 103 >50-103 >50-103 >50-103 >50-101 >50-103 >50-103 >5,6-103 >20-103 >25-103 >25-103 >50-103 >50 103 >50.103

0,6 5 15 75 (K=5) >3 >10 >40 5 15 75 >3 >10 >40 13 13 13 13 3 >0,8 >0,4 >0,8 >1 >0,5 >1

>70 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >85 >70 >80 >80 >70 >80 >80 >75 >80 >80 >85 >85

<150 >85* >85* >85* >85* >85* >85* >85* >85* >85* >85* >85* >85* >70* >80* >80* >70* >75* >75* >80* >75* >85* >85*

20 12 12 20 12 12 20 12 12 16 16 16 16 3,1* 20 <45 35 20 35

>0,3-106 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 1012 200 . 103 >100.103 >0,4.106 >2.106 >150-103 >1,5.106 >8-106

4 1,5 1,5 4 1,5 1,5 4 1,5 1,5

<4 <4 <7 <7 <4 <7 <7 <4 <10 <10 <4 <7 <7 <3 <3 <3 <3 <200* <85* <95* <150* <85* <SO*

1 2,5 5 2,5 2,5 >4 >15 2,5 >4 >15 3 3 3 3 1 1

TO-99 TO-99 TO-69 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO- £9 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99 TO-99

То же BIFET B1FET BIFET BIFET

Технологически ОУ выполняются либо по биполярной, либо по совмещенной биполярно-полевой (BIFET, BIFET-II, BIMOS, BICOS/MOS) технологии. Полевые транзисторы (с р-n переходом или МОП-типа) используются на входе ОУ, когда необходимо по­лучить высокое входное сопротивление и малые входные токи сме­щения. Первые монолитные ОУ типов SN521, SN522, (Д.А702 были

выпущены в 1962 — 1963 гг. В дальнейшем появились: в 1964 г. — тип ц,А709; в 1967 г. — тип LM101; в 1968 г. — типы цА741, LM101A; в 1969 г. — типы LM108, цА725; в 1971 г. — тип LM118; в 1973 г. — серии НА2500; НА2900; тип СА3130; в период 1974 — 1979 гг. — ти­пы СА3140; LF155, ICL7600, НА5190, LM10, LM11, АМ490 и др.

Улучшение электрических параметров и характеристик каждого поколения ОУ (повышение быстродействия, улучшение точностных показателей, уменьшение потребляемой мощности) было обусловле­но как прогрессом технологии (изготовление транзисторов с весьма высоким коэффициентом усиления, высокоомных резисторов, гори­зонтальных р-n-р транзисторов, высокочастотных комплементарных биполярных и полевых с р-n переходом и МОП-транзисторов), так и разработкой новых схемотехнических решений и принципов (ис­пользование на входе составных — по схеме Дарлингтона — транзи­сторов, создание сложных входных каскадов с большим усилением,

сбалансированных двухтактных каскадов с высокой линейностью, встроенных стабилизаторов тока с повышенной стабильностью).

В большинстве случаев фирмы выпускают один и тот же ОУ (с определенным сочетанием параметров) в различных корпусах для различных диапазонов температуры. Чаще всего лучшие характери­стики и параметры имеют ОУ с более широким диапазоном (обычно — 55 °С — Н25°С). Ряд фирм выпускают идентичные ОУ, но со сво­ими внутрифирменными обозначениями. Практически во всех ОУ предусмотрена возможность коррекции нуля с помощью внешнего резистора. Следует учитывать, что коррекция влияет на темпера­турный дрейф напряжения смещения нуля.

В табл. 2.1 приведены электрические параметры монолитных ОУ.


В таблице использованы следующие обозначения парамет­ров ОУ:

Uи.п — напряжение источника питания (рабочий диапазон или

предельное значение); ucm — напряжение Смещения нуля; ДUСМ/ДT — средний температурный дрейф напряжения смещения;

Iвх — входной ток; ДIвх — разность входных токов;

KУ — коэффициент усиления при разомкнутой обратной свя­зи;

VUвых — максимальная скорость нарастания выходного напря­жения (уменьшается с увеличением корректирующей емкости и возрастает при увеличении коэффициента усиления);

Kос.сф — коэффициент ослабления синфазных входных напря­жений;

Kвл.и.п — коэффициент влияния нестабильности источника пита­ния;

K"вл.и.п — коэффициент влияния нестабильности источника пита­ния на напряжение смещения; Uщ.эф — эффективное значение напряжения шума; Uu.n — нормированное напряжение шума; Rвх — входное сопротивление; tуст — время установления выходного напряжения; Лют — ток потребления; РПОт — потребляемая мощность;

fi — частота единичного усиления.

Параметры приведены при температуре +25 °С. Следует отме-7ить, что скорость нарастания выходного напряжения дается при Ку=1; шумовое напряжение Um.a — для частоты измерения 1 кГц, для SG107, SG207, SG307 — на 100 кГц, для SG1250, SG2250, SG3250 — на 10 Гц; время установления — для уровня точности 0,1 %.

 

style='font-size:16.0pt'>2.2. МОЩНЫЕ УСИЛИТЕЛИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

Мощные усилители в интегральном исполнении начинают эффек­тивно заменять усилители на дискретных компонентах. К числу ос­новных параметров и характеристик усилителей относятся коэффи­циенты усиления; диапазон рабочих частот; динамическая, частот­ная, фазовая и амплитудная характеристики; уровень нелинейных искажений; коэффициент полезного действия; входные сопротивле­ние, напряжение, ток и мощность; сопротивление источника сигнала;

выходные мощность, ток, напряжение; сопротивление нагрузки; ди­намический диапазон; уровень шумов.

Коэффициент усиления по мощности, току или напряжению за­висит от параметров внешних элементов.



Рабочий диапазон частот — это интервал частот от нижней гра­ничной частоты fн до верхней fв, внутри которого коэффициент уси­ления остается неизменным в пределах заданной точности. Напри­мер, усилитель звуковой частоты с отличным качеством воспроизве­дения речи и музыки имеет неизменным усиление в диапазоне от fн = 16 Гц до fв=20 кГц; усилитель с хорошим качеством в диапазо­не от 50 Гц доЮ кГц должен иметь допустимую неравномерность усиления не более 5 дБ (обычно 1 — 2 дБ),

Динамическая характеристика определяет зависимость выходно­го напряжения от входного; в идеальном случае эта зависимость ли­нейная.

Нелинейные искажения в усилителях обусловлены нелиней­ностью динамической характеристики; их полное отсутствие прин­ципиально невозможно вследствие нелинейности реальных характе­ристик активных элементов (обычно из-за нелинейной входной ха­рактеристики и зависимости коэффициента усиления транзисторов от тока). Количественно степень нелинейных искажений оценивается коэффициентом гармоник Kг, который определяет относительную интенсивность гармоник.

На нелинейные искажения оказывает влияние режим работы усилителя. Допустимое значение Кг для измерительных усилителей — десятые доли процента и менее; для акустических — единицы про­центов (нелинейные искажения почти не ощущаются на слух, если Kг<2-т-3 % для широкого диапазона частот); для работы на двига­тели — десятки процентов.

При повышении уровня входного сигнала увеличиваются выход­ные мощность, ток и напряжение, но возрастает и уровень нелиней­ных искажений. Поэтому искажения уменьшают путем снижения снимаемой выходной мощности по сравнению с той, которую можно было бы получить от данной ИМС. Требования по линейности, т. е. уменьшение нелинейных и частотных искажений, эффективно дости­гаются с помощью местной (в пределах одного каскада) или общей отрицательной обратной связи, охватывающей весь усилитель.

Номинальное входное напряжение усилителя — напряжение, при котором на выходе получается номинальная выходная мощность (напряжение или ток).


Следует отметить, что для получения боль­шой Рвых и высокого КПД сопротивление нагрузки Ra должно иметь определенное (оптимальное) значение.

Для усилителей мощности КПД характеризует их энергетиче­скую экономичность. С ростом напряжения питания усилителя уве­личиваются до определенного предела Рвых, КПД и значение опти­мального сопротивления нагрузки, поэтому в таблице приводятся конкретные режимы, при которых измерены эти величины. Схемо­технически повышение КПД обеспечивается применением мощных двухтактных выходных каскадов усилителей в режимах классов АВ и В на основе транзисторов одного типа проводимости, разного ти­па проводимости или соединенных по схеме Дарлингтона.

Динамический диапазон усилителя устанавливает превышение в децибелах номинального уровня сигнала на выходе над его мини­мальным уровнем, еще различимым на уровне собственных помех. Верхний предел выходного напряжения ограничивается заданной нормой нелинейных искажений, нижний — уровнем внутренних шу­мов, ограничивающих чувствительность усилителя. Для акустических усилителей уровень минимального напряжения ивых на 6 — 10 дБ выше уровня помех, чтобы были слышны слабые звуки.

Таблица 2.2. Мощные усилители

Тип	Uи.п, В	РВЫХ, ВТ	Rн, Ом	Кг, %	fH, Гц	fв кГц	Kу	Rвх, МОм	Iвых. А; Iвых имп, А	UВЫХ, в	Iнот, мА	Pрас, P*рас, Вт	Тип корпуса
A205D	4 — 20	>4,5	4	1,58 (4,5 Вт)		> 15	37,5	0,5	2,2*		<15	<1,3
А205К	4 — 20	>4,5	4	<2(2,5Вт)	—	> 15	37,5	0,5	2,2*	—	<15	<5	—
A211D	4,5 — 15	1(9 В)	8	8,1 (1 Вт)	50	15	48	0,5	1*	—	<10	<1	—
ESM222R	9 — 18	10 (14 В)	2	1	30	20	34	50	—	—	—	—	CN22
ESM231	30	18 (24 В)	2	10	30	20	46	50	—	—	—	—	14ТЗ
ESM432	±15	20 (±14 В)	4	1	30	20	46	50	—	—	—	— —	14ТЗ
ESM532C	±18	20 (±14 В)	4	1	20	20	60	—	— —	—	—	—	МТ21
ESM632C	±13	14 (±12 В)	4	10	20	20	60	—	—	—	—	—	МТ21
ESM732C	±9	8 (±7 В)	2	10	20	20	60	—	—	—	—	—	МТ21
ESM1231	30	18 (24 В)	4	10	30	20	. — .	—	—	—	—	—	14ТЗ
ESM1432	±15	20 (±14 В)	4	1	30	20	—	—	—	—	—	—	14ТЗ
ESM1532C	±16	20 (±14 В)	4	1	20	20	—	—	—	—	—	—	МТ21
ESM1632C	±13	14 (±12 В)	4	10	20	20	—	—	—	—	—	—	МТ21
ESM1732C	±9	8 (±7 В)	2	10	20	20	—	—	—	— .	— -	—	МТ21
НА 1306	18	>3(13В)	4	<0,6(0,5 Вт)	80	15	44	> 0,011	2,25*	—	—	6	ютз
НА 1308	28	>4(22В)	8	<0,6(0,5 Вт)	—	—	—	>0,1	1,88*	—	—	6	—
НА 1309	33	>5(24В)	8	<0,6(0,5 Вт)	—	—	—	>-0,1	1,88*	—	—	6	—
НА1310	9	>0,4(6В)	8	<0,6(50 мВт)	—	—	—	>0,013	0,6	—	<5	0,8	—
НА1311	9	>0,8(6В)	4	<1(50 мВт)	—	—	—	>0,013	1	—	<18	1,2	—
НА1312	7,5	>0,85 (6В)	8	<0,6(0,25 Вт)	—	—	—	> 0,004	0,7	—	<30	1,2	—
НА1313	20	>1,6(12В)	8	<1(50 мВт)	—	—	—	0,012	1,4*	—	—	2,5	—
НА1314	12	> 0,75 (9 В)	8	<0,6(50 мВт)	—	—	—	>0,013	0,75*	—	—	0,9	—
НА1316	10	> 0,5(7,5 В)	8	<0,6(50 мВт)				>0,013	0,65			0,65
НА 1322	18	>4,5(13В)	4	<1,5(0, 5 Вт)	40	30	>52	0,036	2,25*	—	<100	6	10Т2
НА 1324	18	>4(13В)	4	<0,6(0,5 Вт)	—	— —	—	> 0,011	2,25*	—	—	6	—
НА 1325	20	1,8(13, 5В)	8	<2(0,2 Вт)	40	20	45	0,1	1,25*	—	—	2,5	12ТЮ
LM380N	8 — 22	>2,5(18В)	8	3	—	100	>40	0,15	1,3*	>8	<25	5	14-4
LM380N-8	8 — 22	2,5	8	0,2	- —	100	92	0,15	—			0,66	8-16
LM383	8 — 18	5(14 В)	4	1	—	40	83	- —	— —	— —		—
M5102AY	18	3(13, 2 В)	4	<10	50	20	37	0,007	1,5	—	40	2	—
M5102Y	18	3(13, 2 В)	4	<10	50	20	37	0,007	1,5	—	40	2	CN24
M5112Y	18	4(14 В)	4	<10	70	30	37	—	1,5	— .	12	2	16-16
МВА810	5 — 20	5(14, 4 В)	4	<2(2, 5 Вт)	50	120	—	>0,08	2,2(3*)	—	<50	1(5*)	12Т4
МВА810А	5 — 20	5(14,4 В)	4	<2(2, 5 Вт)	50	120	—	>0,08	2,2	—	<50	1(5*)	12ТЗ
MBA810AS	5 — 20	5	4	<2	50	15	—	>0,08	2,5	— —	<50	— —	12ТЗ
MBA810S	5 — 20	5	4	<2	50	15	— .	>0,08	2,5	—	<50	— —	12Т4
MC1454G	18	>1	16	0,4	40	600	31	> 0,003		10	<20	—	CN8
MC1554G	18	>1	16	0,4	40	600	31	> 0,007			<15		CN8
MDA2010	±(5-	> 10(14 В)	4	<1	30	100	>29,5	>0,08	3,5	—	<140	18*	14Т6
	18)
MDA2020	±(5-	> 15(17 В)	4	<1	30	100	>29,5	>0,08	3,5	—	<140	25*	14Т6
	20)
SL402D	13	>1,5(14В)	7,5	0,3(1 Вт)	20	30	>23	100	1,4	—	—	—	16-14
SL403D	20	>2,5(18В)	7,5	0,3(1 Вт)	20	30	>23	100	1,4	—	—	—	16-14
ТААЗОО	9	1	8	10	100	25	—	0,015	0,6	—	8	— —	ТО- 74
ТАА435	10 — 18	>Л	—	<1(1 Вт)	—	10	80	>0,07	. —	—	—	—	ТО- 74
ТАА611А	6 — 10	0,65(6 В)	4	1	50	12	68	0,75	1	—	—	—	ТО- 100
ТАА611В	6 — 15	1,15 (9 В)	8	1	50	12	70	0.75	1	—	—	—	14-14
ТАА611С	6 — 16	2, 1(12 В)	8	1	50	12	72	0,75	1	—	—	—	14Т6
TAA611ES5	12	1,8(9 В)	8	10	—	—	67	0,75	1*	4,8	<3	0,58	ТО- 100
ТАА611Е12	12	0,6(6 В)	8	10			67	0,75	1*	4,8	<з	1,35	14-14
TAA611F12	15	1 , 15(9 В)	8	10	50	12	68	0,75	1*	4,8	<3,5	1,35	14-14
ТВА641А12	6 — 12	> 1,8(9 В)	4	0,6(1 Вт)	40	20	46	3	2*	>4	<18	1,5	14-23
ТВА641В11	6 — 16	>4(14В)	4	0,8(2 Вт)	40	20	46	3	2,5*	>6,5	<32	2,3(6*)	14Т4
ТВА800	5 — 30	> 4, 4(24 В)	16	0,5(2, 5 Вт)	40	20	80	>1	—	11	<20	1(5*)	12ТН
ТВА800А	5 — 30	> 4, 4(24 В)	16	0,5(2, 5 Вт)	40	20	80	5	—	—	—		12ТЗ
TBA810AS	4 — 20	7(16 В)	4	0,3(50 мВт)	40	20	80	5	2,5*	>6,4	<20	1(5*)	12ТЗ
ТВА810АТ	4 — 25	10(20 В)	4	0,3(3 Вт)	40	20	—	5	3*	—	—	—	12Т4
TBA810DAS	20	2, 5(6 В)	4	0,3(3 Вт)	40	20	80	5	2,5*	>6,4	<20	—	12ТЗ
TBA810DS	20	6(14, 4 В)	4	0,3(3 Вт)	40	20	80	5	2,5*	>6,4	<20	—	12Т4
TBA810S	4 — 20	7(16 В)	4	10(7 Вт)	40	20	80	5	2,5*	>6,4	<20	1	12Т4
ТВА810Т	4 — 25	10(20 В)	4	0,3(3 Вт)	40	20	—	—	3*	—	—	—	12Т4
ТВА820	3 — 16	> 0,9(9 В)	8	0,8(0,5 Вт)	25	20	75	5	1,5*	>4	<12	1,25	14-14
ТВА915	18	0,5(12 В)	—	<5	100	25	—	0,009	0,35	—	<3,7	—	ТО- 74
ТС А 160	5 — 16	2, 6(14 В)	8	10	—	—	70	0,015	—	—	8	—	16-29
ТСА760В	10	2, 1(12 В)	8	—	70	18	70	0,015	—	—	—	—	16-29
ТСА830А	3,5 — 20	4		10	—		75	5	1,5*	—	<20	1(5*)	12ТЗ
TCA830S	4 — 20	3,4(12 В)	4	10	40	10	75	5	2*	—	<20	1(5*)	12Т4
ТСА940	6 — 24	10(20 В)	4	0,3(5 Вт)	40	20	75	5	3*	—	—	—	12ТЗ
ТСА940Е	6 — 24	6, 5(20 В)	8	0,2	40	20	75	5	—	—	—	—	12Т4
TDA1010	18	6(14 В)	4	0,3	80	15	51	0,090	—	—	25	—	МТ17
TDA1037	4 — 28	4, 5(12 В)	4	10	40	20	80	5	3,5*	6	12	—	МТП
TDA2002	8 — 18	>4, 8(14,4 В)	4	0,2(3, 5 Вт)	40	15	80	>0,07	4,5*	>6,4	<80	15*	МТ11
TDA2002A	8 — 18	>7(14,4В)	2	0,2(5 Вт)	40	15	80	>0,07	4,5*	>6,4	<80	15*	МТП
TDA2010	±(5-18)	12(14 В)	4	1(10 Вт)	10	160	i 100	5	3,5*	—	—	—	14Т6
TDA2020	±(5-22)	20(18 В)	4	1(15 Вт)	10	160	100	5	3,5*	—	—	—	14Т6
TDA2030	±18	14(14 В)	4	0,5	10	140	90	5	3,5*				ЛЛТ1 1
TDA2611A	—	6(20 В)	8	1	—	15		0,045			25		JVV 1 1 1 МТ1 7
TDA2870 TDA3000	5 — 18 9 — 32	>5,5(14,4В) > 12(24 В)	4 4	<0,5(3 Вт) 10	50 50	20 20	80 80	>0,07 >0,07	3,5* 3,5*	>6,5 >11,3	<60 <60	—	MT-17
UL1401L	16	1(1 1В)	8	0,5(0, 5 Вт)	—	>100	30	0,008	1				TO-3
UL1401P	16	1(11 В)	8	0,5(0, 5 Вт)	—	>100	30	0,008	1				—
UL1402L	18	>2(13,2В)	4	0,5(0, 5 Вт)	—	>100	30	0,008	1,5				TO-3
UL1402P	18	>2(13,2В)	4	0,5(0, 5 Вт)	—	>100	30	0,008	1,5				—
UL1403L	25	3(18 В)	8	0,5(0, 5 Вт)	—		34	0,01	1,5				TOO
UL1403P	25	3(18 В)	8	0,5(0, 5 Вт)	—	—	34	0,01	1,5	—	—	—	—
UL1405L	27	5(22 В)	8	0,5(0, 5 Вт)	— — —	— —	34	0,01	1,5
UL1461L UL1480P	18 30	>3(13,2В) 5(24 В)	4 16	1,3(1 Вт) 10	35	20	59 74	0,01 0,008 5	2	—	—	4* 1	TO-3 TO-3
UL1481P	20	6(14, 4 В)	4	10	40	20	80	5	2,5			1 1
UL1490N	12	0,65(9 В)	15	10		>100	46	1	0,5			1
UL1491R	6 — 12	0,65(9 В)	8	10	—			50	i	—	—	<1	—
UL1492R UL1439R UL1495N	6 — 15 6 — 12 12	2,1(12В) 2, Ц9 В) 0,65 (9 В)	8 4 15	0,3(1 Вт) 0,3(1 Вт) 10	—	>100	46	50 50 1	1 1,5 0,5	—	—	<1 <1	—
UL1496R UL1497R UL1498R	12 15 12	1,2(9 В) 2,1(12В) 2, 1(9 В)	8 8 4	10 0,3(1 Вт) 0,3(1 Вт)	—			50 50 50	1 1 1,5	—	—	<1 <1 <1	—
цА706АРС цА706ВРС ЦА783РЗС цА783Р4С IHA7307	6 — 16 6 — 16 30 30 3 — 16	>4,5 4,5 > 8(24 В) 5, 2(14, 4 В) >0,9(9В)	4 4 8 4 8	3 3 0,3(5 Вт) 0,3(5 Вт) 0,8(0, 55 Вт)	20 20 25	30 30 20	>43 >43 70 70 75	3 3 5 5 5	0,51(2,5*) 2,5* 3,5* 3,5* 1*	<6,5 <6,5 <11,2 <11,2 <4	<30 <30 <30 <30 <9	1,7 2,3 1(6*) 1,05	14-23 14Т4 12Т14 12Т15 8-15

Большое значение для усилителей мощности имеет проблема рассеяния тепла. Для надежной работы максимально допустимая температура кристаллов не должна превышать 175°С. Усилители характеризуются тепловыми сопротивлениями между кристаллом (переходами) и корпусом Rпер-кор и между корпусом и окружаю­щей средой Rкор-окр(Rпер-окр — Rпер-кор+Rкор-окр), которые за­висят от размеров кристалла и его расположения, типа корпуса и его размеров, температуры окружающей среды. Значения тепловых сопротивлений определяются экспериментально и приводятся в спра­вочных данных. При повышении температуры окружающей среды допустимая мощность усилителя уменьшается линейно.

Для мощных усилителей используются как металлические кор­пуса, например ТО-5 (для усилителей до 1 Вт), ТО-3 (Rпер-кор < <3°С/Вт), ТО-66 с 9 выводами (Rпер-тор =3 °С/Вт), так и пласт­массовые, например с основанием из металлической пластинки, на которую непосредственно монтируется кристалл, при этом

Rпер-кор ~2 °С/Вт.

Мощные усилители в интегральном исполнении часто имеют спе­циальные цепи защиты от короткого замыкания на выходе, электри­ческих перегрузок или перегрева кристалла (тепловая защита).

Устройство защиты от короткого замыкания обычно использует ограничительный транзистор, отпирающийся в критической ситуации вследствие падения напряжения на специальном резисторе и одно­временно запирающий мощные выходные транзисторы. Это позволя­ет ограничить выходной ток до безопасного значения. В большинст­ве усилителей устройства защиты размещаются на том же кристал­ле, что и основная схема усилителя. Ограничительный резистор может быть внешним, чтобы имелась возможность установить нуж­ный порог ограничения тока.

Схема защиты от электрических перегрузок (например, при ра­боте усилителя на индуктивную нагрузку) содержит стабилитрон (или обратносмещенный диод), ограничивающий выходное напря­жение до допустимого значения.

Защита от перегрева при повышении температуры кристалла или окружающей среды осуществляется специальной схемой, распо­ложенной рядом с выходными транзисторами и автоматически от­ключающей (запирающей) их при определенной температуре (на­пример, 175 °С с точностью ±10°С).



В табл. 2. 2 приведены следующие электрические параметры уси­лителей для температуры окружающей среды 25 °С: Uи.п — допустимое напряжение источника питания или диапазон

рабочих напряжений; Pвых — выходная мощность;

Rн — сопротивление нагрузки; fн, fв — нижняя и верхняя граничные частоты; Rвх — входное сопротивление; Iвых — выходной ток; Uвых — выходное напряжение; Iпот — ток потребления; Рра — допустимая мощность рассеяния; Р*расс~ мощность рассеяния с теплоотводом

style='font-size:16.0pt'>2.3. ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ И АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

Преобразователи по виду входных и выходных сигналов делят­ся на цифро-аналоговые (код-напряжение, код-проводимость и др.) и аналого-цифровые (напряжение-код, частота-код и др.).

Цифро-аналоговые (ЦАП) и аналого-цифровые (АЦП) преоб­разователи нашли широкое применение в связи с распространением цифровых методов обработки сигналов, используемых в системах сбора и обработки информации, для управления и контроля произ­водственными процессами, в контрольно-измерительной аппаратуре, в технике связи.

Для преобразования аналоговых сигналов в код применяются следующие методы: поразрядного кодирования, непосредственного считывания, с использованием следящей системы, время-импульсные. Первые два метода характеризуются высоким быстродействием и возможностью получения высокой точности. Метод непосредственно­го считывания применяется для построения сверхбыстродействую­щих преобразователей.

В настоящее время выпускаются преобразователи различных ти­пов, отличающиеся внутренней структурой, принципом действия, технологическими особенностями и эксплуатационными свойствами.

Они строятся как по разомкнутой схеме (отсутствует обратная связь, охватывающая весь преобразователь), так и по замкнутой (в цепь обратной связи АЦП входит ЦАП). В состав преобразова­телей входят ключи и коммутаторы, операционные усилители, схемы выборки и хранения, компараторы напряжения, а также цифровые логические элементы и запоминающие устройства.



 

style='font-size:16.0pt'>2.3.1. ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

Цифро- аналоговые преобразователи служат для преобразования входной информации, представленной в цифровом коде, в эквива­лентный аналоговый сигнал.

Схемы ЦАП различаются по способам представления величин в цифровой форме (чаще в двоичной системе счисления), структурам преобразователя, характеру зависимости выходного сигнала от входного (линейные и нелинейные), способам получения выходного сигнала (с суммированием напряжений или токов, с делением на­пряжений), -виду выходного сигнала (с токовым, потенциальным или резистивным выходом), полярности выходного сигнала (одно-, двух- или четырехквадрантные), виду источника опорного сигнала (постоянного или изменяющегося). Для цифро-аналогового преобра­зования обычно используются два метода: метод суммирования еди­ничных величин (используется один эталон) и метод суммирования с учетом веса разрядов (используется 2i эталонов, где i=1, 2,... n). При втором методе входеюй сигнал может подаваться в последова­тельном коде. При этом производится последовательное преобразо­вание разрядов входного кода, начиная со старшего или младшего (преобразователь последовательного действия). Если входной сиг­нал подается в параллельном коде, то происходит одновременное суммирование всех разрядов цифрового кода (преобразователь па­раллельного действия). Преобразователи последовательного типа являются менее быстродействующими, чем параллельного.

В настоящее время выпускаются ЦАП как требующие допол­нительного подсоединения внешних элементов, так и функционально законченные (автономные) БИС ЦАП, содержащие на одном кри­сталле все элементы, необходимые для процесса преобразования.

В процессе преобразования входной n-разрядный цифровой си­гнал превращается в аналоговый выходной сигнал с 2n дискретны­ми уровнями. Например, у 10-разрядного ЦАП выходное напряже­ние может принимать 1024 уровня от нуля до максимального значения.


Обратной величиной числа выходных уровней является разрешающая способность. Она определяет наименьшее возможное приращение выходного аналогового сигнала при соответствующем изменении входного преобразуемого кода на единицу младшего раз­ряда. Единицей измерения разрешения является единица самого младшего значащегося разряда (1МЗР). Она может выражаться в процентах или миллионных частях.

Одной из основных задач преобразователя является получение точного соответствия между входными и выходными сигналами. Погрешность преобразования показывает отличие реального преоб­разования от идеального. Точность преобразования характеризуется погрешностью преобразования, которая состоит из методической погрешности, обусловленной методом преобразования, и из инстру­ментальной погрешности. Инструментальные погрешности вызыва-ются неточностью изготовления элементов преобразователя, зависи­мостью параметров элементов от температуры, влиянием шумов и помех. Погрешности проявляются в виде смещения нуля преобразо­вателя, изменения коэффициента передачи, нелинейности и немоно­тонности передаточной характеристики (погрешности линейности и монотонности). Погрешность выражается в процентах от полного диапазона изменения аналогового выходного сигнала. Например, если 10-разрядный ЦАП должен иметь максимальный выходной сигнал 10 В, а реальное значение сигнала 9,5 В, то погрешность со­ставляет 5 %. Кроме того, она может выражаться в долях наимень­шего значащего разряда. Погрешность линейности показывает по­стоянство отношений входного сигнала к выходному во всем рабо­чем диапазоне. Интегральная погрешность линейности определяет максимальное отклонение передаточной характеристики от прямой линии, проведенной через нуль и точку максимального значения вы­ходного сигнала. Дифференциальная погрешность линейности харак­теризует изменение крутизны передаточной характеристики и опре­деляется как разность отклонений двух смежных уровней выходного сигнала.


Дифференциальная погрешность идеального преобразова­ теля равна нулю. Если она большая (более 1МЗР), то это говорит о немонотонности выходного сигнала. Погрешность монотонности характеризует изменение выходного сигнала при изменении значе­ний входного последовательного кода. Монотонность показывает, что при непрерывном увеличении входного сигнала выходной сигнал не должен уменьшаться. Линейность и монотонность характеристик ЦАП ухудшаются по мере увеличения скорости изменения входных сигналов. Температурный коэффициент характеризует изменение полной погрешности от температуры.

Следует отметить, что преобразователи, имеющие высокую точ­ность, но малую разрешающую способность и, наоборот, малую точ­ность и высокую разрешающую способность, не имеют большого практического значения. Поэтому значения разрешающей способ­ности и точности практически выбираются примерно одинаковыми.

Требования к точности возрастают по мере увеличения числа разря­дов (например, для 4-разрядного ЦАП при точности ±1/2 МЗР до­пускается погрешность выходного сигнала ±3,12% а для 8-оазвял-ного ±0,195 %),

Основным динамическим параметром ЦАП является время уста­новления, представляющее собой интервал времени от момента по­ступления входного кода до момента, когда выходной аналоговый сигнал достигнет установившегося значения с заданной погреш­ностью (обычно ±1/2 МЗР). Время установления ог.ределяет быст­родействие ЦАП.

Перемножающие (множительные) ЦАП отличаются от обычных тем, что предназначены для работы с переменными опорными сиг­налами, изменяющимися по определенному закону. Поэтому они дополнительно характеризуются диапазоном и частотой изменения входного аналогового сигнала, аналоговой нелинейностью, временем установления сигнала по аналоговому входу,

В табл. 2.3 представлены электрические параметры монолит­ных ЦАП.

 

style='font-size:16.0pt'>2.3.2. АНАЛОГО-ЦКФРОЬЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

Аналого-цифровые преобразователи предназначены для преоб­разования аналоговых сигналов в соответствующие им цифровые.


Классификация преобразователей напряжения в цифровой код весь­ ма разнообразна. Одним из отличительных признаков, характеризу­ющих свойства преобразователен, является наличие пли отсутствие в структурной схеме обратной связи. Поэтому по принципу действия АЦП делятся на преобразователи без обратной связи (прямого пре­образования) и с обратной связью (уравновешиваемые, замкнутые). АЦП прямого преобразования подразделяются на преобразователи считывания (однотактною преобразования); время-импульсные (на­пример, с промежуточным преобразованием напряжения в частоту; интегрирующие); последовательного вычитания; счета единичных при­ращений. Аналого-цифровые преобразователи с обратной связью под­разделяются на следящие (с накоплением единичных приращений) и поразрядного кодирования. В преобразователях считывания (парал­лельного типа) входная величина сравнивается одновременно со все­ми возможными уровнями квантования с помощью 2n — 1 с сравнива­ющих устройств (компараторов). При этом обеспечивается высокое быстродействие. Этот метод используется лишь в преобразователях с малым числом разрядов. В интегрирующих АЦП входной сигнал в процессе преобразования интегрируется и сравнивается с эталон­ными значениями. Этот метод экономичен для применения в преоб­разователях высокого разрешения, но время преобразования его велико. В основе работы АЦП с обратной связью (счетного, следя­щего, последовательных приближений) лежит преобразование циф­рового кода в аналоговый сигнал, который сравнивается с входным аналоговым сигналом. В схему преобразователя следящего типа входят лишь один компаратор, схема управления, счетчик и ЦАП в цепи обратной связи. Более распространенными являются преоб­разователи, работающие по методу поразрядного кодирования, ко­торый в зависимости от способа выполнения операций сравнения делится на метод взвешивания и метод последовательных прибли­жений.

Следует отметить, что наибольшее быстродействие имеют пре­образователи, реализующие метод считывания, наименьшее — преоб­разователи последовательного счета.


Содержание раздела

---

---